|
|||||
|
|
| GaAs／AlAs超晶格Г—X级联隧穿导致的电场畴 | |
| 引用本文： | 张耀辉,杨小平.GaAs／AlAs超晶格Г—X级联隧穿导致的电场畴[J].半导体学报,1995,16(1):77-80. |
| 作者姓名： | 张耀辉 杨小平 |
| 摘 要： | 我们研究了掺杂耦合ＧａＡｓ／ＡｌＡｓ超晶格的级联隧穿，在这种结构中，ＡｌＡｓ层Ｘ能谷中的基态能级位于ＧａＡｓ层中Г能谷的基态（ＥГ１）和第一激发态（ＥГ２）能级之间，实验结果证明，这种超晶格中的高电场畴是由Г－Ｘ级联共振隧穿所形成的，而不是通常的相邻量子阱子带的级联共振隧穿所形成的，在这种高场畴中，电子从ＧａＡｓ量子阱的基态隧穿到邻近的ＡｌＡｓ层的Ｘ能谷的基态，然后通过实空间电子转移从ＡｌＡｓ层的 |
| 关 键 词： | 砷化镓 砷化铝 超晶格 电场畴 级联隧穿 |
| 本文献已被 维普 等数据库收录！ | |
| 点击此处可从《半导体学报》浏览原始摘要信息 | |
| 点击此处可从《半导体学报》下载全文 | |
