低噪声高电子晶体管移迁率

美国 Gould 已经宣布首次大规模生产出低噪声、高电子迁移率晶体管。这种器件使用砷化镓和铝镓砷化物的“超晶格”结构,允许增高工作频率至18GHz。这个频率比习用砷化镓器件的高3倍,比普通硅晶体管高10倍。命名为 H503的这种器件是用以代替在卫星、雷达和电子战用的微波部件中的砷化镓场效应晶体管。