| 腔面低反射大功率半导体激光器阵列 |
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| 引用本文： | 陈宏泰,花吉珍,家秀云,陈玉娟,沈牧.腔面低反射大功率半导体激光器阵列[J].半导体技术,2004,29(2):77-79. |
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| 作者姓名： | 陈宏泰 花吉珍 家秀云 陈玉娟 沈牧 |
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| 作者单位： | 中国电子科技集团公司第十三研究所,河北,石家庄,050051;中国电子科技集团公司第十三研究所,河北,石家庄,050051;中国电子科技集团公司第十三研究所,河北,石家庄,050051;中国电子科技集团公司第十三研究所,河北,石家庄,050051;中国电子科技集团公司第十三研究所,河北,石家庄,050051 |
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| 摘 要： | 光束质量问题是制约半导体激光器应用的主要因素,采用出光面蒸镀低反膜LD阵列半导体激光器阵列锁相技术较好地解决了这个问题.本文设计并制作了高反膜系和极低反膜系,获得了高阈值的LD阵列.本文的低反膜系有大的带宽和小于0.2%的剩余反射率,易于工艺实现,LD阵列的阈值电流密度达到480A/cm2.
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| 关 键 词： | 半导体激光器 阵列 锁相 反射率 |
| 文章编号： | 1003-353(2004)02-0077-03 |
| 修稿时间： | 2003年1月23日 |
AR-coated high power semiconductor laser diode array |
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| CHEN Hong-tai,HUA Ji-zhen,JIA Xiu-yun,CHEN Yu-juan,SHEN Mu.AR-coated high power semiconductor laser diode array[J].Semiconductor Technology,2004,29(2):77-79. |
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| Authors: | CHEN Hong-tai HUA Ji-zhen JIA Xiu-yun CHEN Yu-juan SHEN Mu |
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| Abstract: | The main reason which restricts the application of semiconductor laser diode is its beamquality .The question can be well resolved by using laser diode array phase-locking in which weevaporate anti-reflecting film on the emitting side. We devised high-reflecting film(HR coating) anti-reflecting film(AR coating) and got high current density (Jth) LD Array. The AR coating we devisedhas large wave width and its reflectivity is lower than 0.2%, the technology is very simple. The Jth ofthe LD Array is high as 480 A/cm2. |
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| Keywords: | semiconductor laser array phase-locking reflectivity |
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