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40nm狗骨结构对n-MOSFET的性能影响
引用本文:王磊,周建伟.40nm狗骨结构对n-MOSFET的性能影响[J].半导体技术,2013(3):203-206.
作者姓名:王磊  周建伟
作者单位:河北工业大学微电子与材料研究所
摘    要:设计了一组测试结构用来探讨狗骨(dogbone)结构有源区对n-MOSFET性能的影响因素。测试结构和测量数据基于40 nm工艺技术,通过改变狗骨结构有源区的通孔区域到栅极之间的长度(S)来分析对NMOS器件参数如漏端饱和电流、阈值电压和漏电流的影响。实验表明,随着长度S从0.07μm增加到5.02μm,漏端饱和电流和漏电流均先上升后下降,而阈值电压呈单调下降变化趋势。漏端饱和电流和漏电流的趋势表明,狗骨结构有源区主要受到两个因素影响,即沿沟道长度方向的STI应力效应和源极/漏极电阻效应,而源极/漏极电阻效应对S较大的狗骨结构有源区影响更为显著。

关 键 词:浅沟槽隔离  狗骨结构  源极/漏极电阻  器件性能  金属氧化物半导体场效应晶体管
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