40nm狗骨结构对n-MOSFET的性能影响 |
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引用本文: | 王磊,周建伟.40nm狗骨结构对n-MOSFET的性能影响[J].半导体技术,2013(3):203-206. |
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作者姓名: | 王磊 周建伟 |
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作者单位: | 河北工业大学微电子与材料研究所 |
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摘 要: | 设计了一组测试结构用来探讨狗骨(dogbone)结构有源区对n-MOSFET性能的影响因素。测试结构和测量数据基于40 nm工艺技术,通过改变狗骨结构有源区的通孔区域到栅极之间的长度(S)来分析对NMOS器件参数如漏端饱和电流、阈值电压和漏电流的影响。实验表明,随着长度S从0.07μm增加到5.02μm,漏端饱和电流和漏电流均先上升后下降,而阈值电压呈单调下降变化趋势。漏端饱和电流和漏电流的趋势表明,狗骨结构有源区主要受到两个因素影响,即沿沟道长度方向的STI应力效应和源极/漏极电阻效应,而源极/漏极电阻效应对S较大的狗骨结构有源区影响更为显著。
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关 键 词: | 浅沟槽隔离 狗骨结构 源极/漏极电阻 器件性能 金属氧化物半导体场效应晶体管 |
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