| N阱掺杂对PMOS管的SET效应影响研究 |
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| 引用本文： | 赵强,徐骅,刘畅咏,韩波,彭春雨,王静,吴秀龙.N阱掺杂对PMOS管的SET效应影响研究[J].微电子学,2018,48(4):515-519. |
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| 作者姓名： | 赵强 徐骅 刘畅咏 韩波 彭春雨 王静 吴秀龙 |
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| 作者单位： | 安徽大学 电子信息工程学院, 合肥 230601;阜阳师范学院 计算机与信息工程学院, 安徽 阜阳 236037,中国电子科技集团公司 第二十四研究所, 重庆 400060,安徽大学 电子信息工程学院, 合肥 230601,阜阳师范学院 计算机与信息工程学院, 安徽 阜阳 236037,安徽大学 电子信息工程学院, 合肥 230601,阜阳师范学院 计算机与信息工程学院, 安徽 阜阳 236037,安徽大学 电子信息工程学院, 合肥 230601 |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金资助项目(61674002)；安徽省自然科学基金青年项目(1808085QF209)；安徽省高校自然科学研究项目(KJ2017A333) |
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| 摘 要： | 基于Synopsys公司的3D-TCAD器件仿真软件,在65 nm体硅CMOS工艺下研究了场效应晶体管(FET)抗辐射性能与工艺参数的关系,分析了N阱掺杂对单管PMOS单粒子瞬态脉冲(SET)效应的影响。针对PMOS管SET电流的各组分进行了分析,讨论了粒子轰击后器件各端口电流的变化情况。研究结果表明,增大N阱掺杂浓度能有效降低衬底空穴收集量,提升N阱电势,抑制寄生双极放大效应,减少SET脉冲宽度。该研究结果对从工艺角度提升PMOS器件的抗辐射性能有指导意义。
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| 关 键 词： | PMOS 单粒子瞬态 工艺波动 掺杂浓度 N阱 |
| 收稿时间： | 2018/1/16 0:00:00 |
Study of the Influence of N-Well Doping on SET Effect of PMOS |
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| ZHAO Qiang,XU Hu,LIU Changyong,HAN Bo,PENG Chunyu,WANG Jing and WU Xiulong.Study of the Influence of N-Well Doping on SET Effect of PMOS[J].Microelectronics,2018,48(4):515-519. |
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| Authors: | ZHAO Qiang XU Hu LIU Changyong HAN Bo PENG Chunyu WANG Jing and WU Xiulong |
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| Affiliation: | School of Electronics and Information Engineering, Anhui University, Hefei 230601, P.R.China;School of Computer and Information Engineering, Fuyang Normal University, Fuyang, Anhui 236037, P.R.China,Sichuan Institute of Solid-State Circuits, China Electronics Technology Group Corp., Chongqing 400060, P.R.China,School of Electronics and Information Engineering, Anhui University, Hefei 230601, P.R.China,School of Computer and Information Engineering, Fuyang Normal University, Fuyang, Anhui 236037, P.R.China,School of Electronics and Information Engineering, Anhui University, Hefei 230601, P.R.China,School of Computer and Information Engineering, Fuyang Normal University, Fuyang, Anhui 236037, P.R.China and School of Electronics and Information Engineering, Anhui University, Hefei 230601, P.R.China |
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