| 具有高特征温度的808 nm大功率半导体激光器 |
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| 引用本文： | 高欣,曲轶,薄报学,张宝顺,张兴德.具有高特征温度的808 nm大功率半导体激光器[J].半导体光电,1999,20(6):388-389,392. |
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| 作者姓名： | 高欣 曲轶 薄报学 张宝顺 张兴德 |
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| 作者单位： | 长春光学精密机械学院,高功率半导体激光国家重点实验室,长春,130022 |
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| 基金项目： | 国防科工委预研项目;98JS3631;CS3602; |
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| 摘 要： | 研制出利用液相外延方法生长808 nm InGaAsP/GaAs分别限制单量子阱激光器,其室温连续输出功率达到4 W,室温工作的特征温度达到218 K.
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| 关 键 词： | 半导体激光器 液相外延 分别限制单量子阱 特征温度 |
808 nm high power semiconductor lasers with high characteristic temperature |
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| GAO Xin,QU Yi,BO Bao-xue,ZHANG Bao-shun,ZHANG Xing-de.808 nm high power semiconductor lasers with high characteristic temperature[J].Semiconductor Optoelectronics,1999,20(6):388-389,392. |
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| Authors: | GAO Xin QU Yi BO Bao-xue ZHANG Bao-shun ZHANG Xing-de |
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| Abstract: | nm InGaAsP/GaAs separate confinement heterostructure (SCH) single quantum well (SQW) lasers are grown by enhanced liquid phase epitaxy (LPE).The high continuous wave output power is 4 W at room temperature.The record characterisic temperature T 0 of the laser is estimated to be about 218 K. |
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| Keywords: | semiconductor laser liquid phase epitaxy separate confinement heterostructure characteristic temperature |
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