| 关于V系列F-RAM的技术说明 |
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| 引用本文： | 北京北方科讯电子技术有限公司.关于V系列F-RAM的技术说明[J].电子产品世界,2009,16(9):67-67. |
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| 作者姓名： | 北京北方科讯电子技术有限公司 |
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| 作者单位： | 北京北方科讯电子技术有限公司; |
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| 摘 要： | 全球领先的非易失性铁电随机存取存储器(F-RAM)和集成半导体产品开发商及供应商Ramtron International corporation的两款具有高速读/写性能、更低工作电压和可选器件功能的新型串口非易失性F.RAM产品,分别是带有两线制接口(I2C)的FM24V02和带有串行外设接口(SPI)的FM2SV02.两款256kb器件是Ramtron公司V系列F-RAM产品的最新型号,工作电压范围为2.0V至3.6V,采用行业标准8脚SOIC封装,具有快速访问、无延迟(NoDelay)写入、几乎无限的读/写次数及低功耗等特点,是工业控制、表计、医疗电子、军事、游戏、计算机及其它应用领域的256kb串口闪存和串口EEPROM存储器的兼容替代产品.
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| 关 键 词： | 串口 器件 系列 技术说明 非易失性存储器 铁电随机存取存储器 产品开发 供应商 集成半导体 低工作电压 |
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