| 实用化GaInP－AlGaInP半导体量子阱可见光激光器 |
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| 引用本文： | 熊飞克,郭良,马骁宇,杨志鸿,王树堂,陈良惠.实用化GaInP－AlGaInP半导体量子阱可见光激光器[J].高技术通讯,1996(11). |
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| 作者姓名： | 熊飞克 郭良 马骁宇 杨志鸿 王树堂 陈良惠 |
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| 作者单位： | 中国科学院半导体研究所国家光电子器件工程研究中心 |
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| 摘 要： | 用低压ＭＯＶＰＥ方法研制出了波长为６５５ｎｍ与６７０ｎｍ的ＧａＩｎＰ－ＡｌＧａＩｎＰ半导体量子阱可见光激光器，并已形成一定的批量生产能力。器件的阈值电流典型值为４５ｍＡ，输出光功率不小于５ｍＷ，最高工作温度不低于５０℃，预计２０℃时寿命接近１００，０００小时，主要技术指标与目前进口的同类产品水平相当，完全可以满足实用要求。
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| 关 键 词： | 半导体，激光器，量子阱，AlGaInP |
GaInP-AlGaInP Quantum Well Visible Laser |
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| Xiong Feike,Guo Liang,Ma Xiaoyu,Yang Zhihong,Wang Shutang, Chen Lianghui.GaInP-AlGaInP Quantum Well Visible Laser[J].High Technology Letters,1996(11). |
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| Authors: | Xiong Feike Guo Liang Ma Xiaoyu Yang Zhihong Wang Shutang Chen Lianghui |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | Laser diode Visible laser Quantum well AlGaInP |
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