单层陶瓷介质基片烧结技术研究

单层片式瓷介电容器产业化对制备该系列产品所需的陶瓷介质基片提出了很高的质量要求,要求陶瓷介质基片(长度×宽度×厚度=(25~50)mm×(25~50)mm×(0.1~0.3)mm)厚度均匀(五点测试,偏差≤0.01 mm)、表面平整(翘曲度≤0.05 mm/25 mm)、表面光洁、无凹坑和无杂质等缺陷。通过采用"垫片负重"、"生坯垒烧"和"生坯垒烧+垫片负重"烧结方式进行陶瓷介质基片的烧结试验,然后对不同烧结方式制备的介质基片表面质量进行分析和评价。结果表明:采用"生片垒烧+垫片负重"烧结方式制备出尺寸为40 mm×40 mm×0.25 mm的介质基片,其厚度均匀(最大偏差为0.003 mm)、表面平整(翘曲度≤0.05 mm/25 mm),陶瓷介质基片满足单层片式瓷介电容器后续工序对其表面质量的要求。

Sintering technology of single layer ceramic dielectric substrate