| 高Ge成份SiGe合金弛豫及热应变的Raman光谱研究 |
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| 引用本文： | 崔继锋,叶志镇,吴贵斌,赵炳辉.高Ge成份SiGe合金弛豫及热应变的Raman光谱研究[J].材料科学与工程学报,2005,23(1):81-83. |
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| 作者姓名： | 崔继锋 叶志镇 吴贵斌 赵炳辉 |
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| 作者单位： | 浙江大学硅材料国家重点实验室,浙江,杭州,310027;浙江大学硅材料国家重点实验室,浙江,杭州,310027;浙江大学硅材料国家重点实验室,浙江,杭州,310027;浙江大学硅材料国家重点实验室,浙江,杭州,310027 |
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| 摘 要： | 采用Raman光谱对高Ge含量的锗硅合金中的应变驰豫进行研究,运用Mooney的两种方法对合金中Ge成分及应力进行了分析,并用HRXRD对其分析结果进行了验证.最后分析了热应变对Si1-xGex外延的影响.
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| 关 键 词： | 锗硅 拉曼 高分辨XRD 应变驰豫 热应变 |
| 文章编号： | 1004-793X(2005)01-0081-03 |
| 修稿时间： | 2004年4月9日 |
Raman Spectra of Relaxation and Thermal Stress in High Ge Content SiGe alloy |
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| CUI Ji-feng,YE Zhi-zhen,WU Gui-bin,ZHAO Bing-hui.Raman Spectra of Relaxation and Thermal Stress in High Ge Content SiGe alloy[J].Journal of Materials Science and Engineering,2005,23(1):81-83. |
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| Authors: | CUI Ji-feng YE Zhi-zhen WU Gui-bin ZHAO Bing-hui |
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| Abstract: | In this article the high Ge content SiGe alloys are investigated using Raman spectra. With Mooney's methods, the composition and strain relaxation in the epilayer are demonstrated. The results are recalibrated by HRXRD measurements. The influence of thermal stress on the epilayer is also studied using the results above. |
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| Keywords: | silicon germanium Raman High Resolution XRD relaxation thermal stress |
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