用于3.3 V电源的高维持电压ESD防护器件 |
| |
引用本文: | 王军超,李浩亮,陈磊,杨波.用于3.3 V电源的高维持电压ESD防护器件[J].微电子学,2021,51(2):260-264. |
| |
作者姓名: | 王军超 李浩亮 陈磊 杨波 |
| |
作者单位: | 郑州大学 信息工程学院, 郑州 450000 |
| |
基金项目: | 国家自然科学基金资助项目(61874098) |
| |
摘 要: | 为了解决传统LVTSCR易发生闩锁效应的问题,提出了一种增强型嵌入P浅阱可控硅(EEP_LVTSCR)结构。通过在传统LVTSCR中NMOS管漏极与阳极之间植入PSD/NSD有源区,引入了额外的复合作用,降低了发射极注入效率;通过NMOS管下方P浅阱增强基区的复合作用,同时降低了PNP、NPN管的电流增益,提高了维持电压。基于0.18 μm BCD工艺,采用TCAD软件模拟了新型EEP_LVTSCR和传统LVTSCR的电流电压(I-V)特性。仿真结果表明,新型EEP_LVTSCR的维持电压从传统的1.73 V提升到5.72 V。该EEP_LVTSCR适用于3.3 V电源的ESD防护。
|
关 键 词: | 静电放电 LVTSCR 闩锁效应 维持电压 |
收稿时间: | 2020/6/30 0:00:00 |
|
| 点击此处可从《微电子学》浏览原始摘要信息 |
|
点击此处可从《微电子学》下载全文 |
|