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| PDMS基片表面的光刻胶图形化工艺研究 | |
| 引用本文： | 杨淑凌,郭洪吉,刘泽汉,刘军山.PDMS基片表面的光刻胶图形化工艺研究[J].机电工程技术,2019,48(11). |
| 作者姓名： | 杨淑凌 郭洪吉 刘泽汉 刘军山 |
| 作者单位： | 大连理工大学辽宁省微纳米技术及系统重点实验室,辽宁大连,116024 |
| 基金项目： | 国家自然科学基金;国家自然科学基金 |
| 摘 要： | 在聚二甲基硅氧烷(PDMS)微纳米器件的制造过程中,经常需要在PDMS基片表面进行光刻胶的图形化。建立了一种PDMS基片表面的光刻胶图形化工艺。通过对PDMS基片表面进行氧等离子体改性处理,提高了PDMS的表面润湿性,使得光刻胶可以均匀地旋涂在PDMS基片表面;提出利用室温下长时间静置代替常规的光刻胶前烘工艺,有效避免了光刻胶在前烘过程中裂纹的产生。最后,作为工艺验证,在PDMS基片表面成功制作出了复杂的光刻胶微阵列图案。 |
| 关 键 词： | 氧等离子体 聚二甲基硅氧烷 光刻胶 裂纹 |
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