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| GaAs低能Si^＋及SiF^＋离子注入研究 | |
| 引用本文： | 关安民,沈鸿烈.GaAs低能Si^＋及SiF^＋离子注入研究[J].上海微电子技术和应用,1997(1):19-22. |
| 作者姓名： | 关安民 沈鸿烈 |
| 摘 要： | 本文对３０ｋｅｖ Ｓｉ＾＋和分子离子ＳｉＦ＾＋注入半绝缘ＧａＡｓ的行为进行了研究对比。注入Ｓｉ＾２＋样品的Ｓｉ原子纵向分布与相同条件下用ＳＩＣＴ模拟程序理论计算出的分布相一致。经灯光９００℃１０″ＲＴＡ，电激活率可达６０％，电化学Ｃ－Ｖ测得的载流子纵向分布与注入态ＳＩＭＳ结果相同，可以获得近０．２μｍ的ＧａＡｓ有源层。而注入分子离子ＳｉＦ＾＋样品，虽注入层较浅，但灯光退火后，电激活率很低。因此，用 |
| 关 键 词： | 砷化镓 离子注入 硅 氟化硅 |
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