| 不同晶化处理方式对PZT薄膜性能的影响 |
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| 引用本文： | 李敏,惠春,汪静.不同晶化处理方式对PZT薄膜性能的影响[J].纳米科技,2005,2(6):35-38. |
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| 作者姓名： | 李敏 惠春 汪静 |
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| 作者单位： | 上海交通大学 |
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| 基金项目： | 上海市纳米专项项目（编号：0452nm024） |
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| 摘 要： | 采用改进的溶胶一凝胶（sol—gel）法在Pt／Ti／SiO2／Si基片上制备PZT薄膜，研究不同的晶化处理方式对PZT薄膜的微观结构、表面形貌及电学性能的影响。实验结果表明：快速晶化处理方式更有利于薄膜沿（110）方向的择优生长；并且相对于常规晶化处理方式，快速晶化处理方式制备的PZT薄膜晶粒均匀，排布有序，可有效的提高薄膜的表面质量。电学性能测试结果表明，这种表面形貌可以有效地降低漏电流。
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| 关 键 词： | PZT薄膜 XRD AFM 漏电流 溶胶-凝胶 |
| 文章编号： | 1812-1918（2005）06-0035-04 |
| 收稿时间： | 2005-10-20 |
Different Crystallization Processes Effects on the Property of PZT Thin Films |
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| Authors: | LI Min HUI Chun WANG Jing |
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| Affiliation: | Institution of Micro and Nano Science and Technology, Shanghai Jiaotong University Key Laboratory for Thin Film and Microfabrication of Ministry of Education National Key Laboratory of Nano/Micro Fabrication Technology, Shanghai 200030, China |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | PZT thin films XRD AFM the leakage current Sol-Gel |
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