GaAs和（Cs，O）／GaAs热处理工艺的XPS研究

用X射线光电子能谱(XPS)研究了GaAs(100)面基片的化学清洗、热净化、(Cs，O)激活后加热的处理效果。GaAs的氧化过程是：首先，As氧化为低价态，然后Ga被氧化，再就是As氧化为高价。确保样品从刻蚀清洗到超高真空环境中，表面Ga没有被氧化，就可在较低的温度热净化，获得As稳定的且原子级清洁的GaAs表面。净化后GaAs表面Ga含量越高，则(Cs，O)激活后形成氧化物越多，从而形成了界面势垒，使电子逸出概率降低。