| X射线三轴晶衍射法测量半绝缘GaAs单晶的化学配比 |
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| 引用本文： | 黎建明,屠海令,胡广勇,王超群,郑安生,钱嘉裕.X射线三轴晶衍射法测量半绝缘GaAs单晶的化学配比[J].半导体学报,2002,23(11):1187-1191. |
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| 作者姓名： | 黎建明 屠海令 胡广勇 王超群 郑安生 钱嘉裕 |
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| 作者单位： | 北京有色金属研究总院,国家半导体材料工程研究中心,北京,100088 |
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| 摘 要： | 采用X射线三轴晶衍射法,根据As间隙原子对作为过量As在GaAs单晶材料中存在的主要形式的模型,可以无损、高精度测量半绝缘GaAs单晶的化学配比.并探讨了引起晶格变化的原因及其与熔体组分的关系,对于制备高质量GaAs单晶及其光电器件具有重要的意义.
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| 关 键 词： | 晶格参数 化学配比 双晶衍射 三轴晶模式衍射 |
| 文章编号： | 0253-4177(2002)11-1187-05 |
| 修稿时间： | 2002年2月27日 |
Stoichiometry in SI-GaAs Bulk Materials by Triple Axis Mode X-Ray Diffraction Measurements |
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| Li Jianming,Tu Hailing,Hu Guangyong,Wang Chaoqun,Zheng Ansheng and Qian Jiayu.Stoichiometry in SI-GaAs Bulk Materials by Triple Axis Mode X-Ray Diffraction Measurements[J].Chinese Journal of Semiconductors,2002,23(11):1187-1191. |
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| Authors: | Li Jianming Tu Hailing Hu Guangyong Wang Chaoqun Zheng Ansheng and Qian Jiayu |
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| Abstract: | The lattice parameters of SI GaAs are accurately measured by triple axis mode X ray diffraction method.The stoichiometry in SI GaAs bulk materials is calculated based on the model of the interstitial pairs for describing excess arsenic in GaAs.Triple axis mode X ray diffraction measurements are non destructive and high precision.The reasons of affecting the lattice parameters of SI GaAs are discussed. |
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| Keywords: | lattice parameters stoichiometry double crystal X ray diffraction triple axis mode X ray diffraction |
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