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| Ⅲ族锢源对LP－MOVPE方法生长In_（1－x）Ga_xAs材料的影响 | |
| 引用本文： | 祝进田,胡礼中,刘式墉.Ⅲ族锢源对LP－MOVPE方法生长In_（1－x）Ga_xAs材料的影响[J].半导体学报,1994,15(6):393-396. |
| 作者姓名： | 祝进田 胡礼中 刘式墉 |
| 作者单位： | 集成光电子学国家重点实验室，吉林大学电子科学系 |
| 摘 要： | 本文报道了利用低压金属有机物汽相外延（ＬＰ－ＭＯＶＰＥ）技术，在（００１）ＩｎＰ衬底上生长Ｉｎ_（１－ｘ）Ｇａ_ｘＡｓ体材料及Ｉｎ_（１－ｘ）Ｇａ_ｘＡｓ／ＩｎＰ量子阶结构材料的结果．对于ＴＭＧ／ＴＥＩｎ源，Ｉｎ_（１－ｘ）Ｇａ_ｘＡｓ材料的非故意掺杂载流子依匿为７．２×１０１６ｃｍ－３，最窄光致发光峰值半宽为１８．９ｍｅＶ，转靶Ｘ光衍射仪对量子阶结构材料测到±２级卫星峰；而对于ＴＭＧ／ＴＭＩｎ源，非故意掺杂载流于浓度为３．１×１０￣１５ｃｍ￣（－３），最窄光致发光峰值半宽为８．９ｍｅＶ，转靶Ｘ光衍射仪对量子阶 |
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