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172nm真空紫外光源的研制及驱动特性研究
引用本文:刘震,郭昕,卜忍安.172nm真空紫外光源的研制及驱动特性研究[J].真空科学与技术学报,2012,32(12):1114-1118.
作者姓名:刘震  郭昕  卜忍安
作者单位:1. 西安交通大学电子物理与器件教育部重点实验室 西安710049
2. 中航工业西安飞行自动控制研究所 西安710065
基金项目:国家自然科学基金项目(61205022)
摘    要:通过改进电极引出线以及氟化镁光窗的封接工艺,提高了真空紫外光源器件的可靠性,按照新的工艺流程设计并制作了新型172 nm真空紫外光源.在此基础上为了提高真空紫外光源的效率,对方波脉冲及正弦波形激励下的真空紫外光源的放电特性以及辐射特性进行了分析与研究.研究结果表明,172 nm真空紫外光源的辐射强度随气压、输入电压以及电源工作频率的升高而升高;采用方波驱动时器件的着火电压较低;在输入功率6.8~8.2 W范围内,采用方波驱动时的真空紫外辐射强度是正弦波驱动时的5.5倍.

关 键 词:真空紫外  结构设计  效率  脉冲波形

Development of Novel Type of 172 nm Vacuum Ultraviolet Light Source
Liu Zhen,Guo Xin,Bu Renan.Development of Novel Type of 172 nm Vacuum Ultraviolet Light Source[J].JOurnal of Vacuum Science and Technology,2012,32(12):1114-1118.
Authors:Liu Zhen  Guo Xin  Bu Renan
Affiliation:1(1.Key Laboratory for Physical Electronics and Devices of the Ministry of Education,Xi′an Jiaotong University,Xi′an 710049,China;2.AVIC Xi′an Flight Automatic Control Research Institute,Xi′an 710065,China)
Abstract:
Keywords:
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