|
|||||
|
|
| 快速热氮化超薄SiO_2膜的氮分布和氮化机理的研究 | |
| 引用本文： | 冯文修,陈蒲生,黄世平.快速热氮化超薄SiO_2膜的氮分布和氮化机理的研究[J].半导体学报,1997,18(4):269-274. |
| 作者姓名： | 冯文修 陈蒲生 黄世平 |
| 作者单位： | [1]华南理工大学应用物理系 [2]香港中文大学电子工程学系 |
| 摘 要： | 用卤素钨灯作辐射热源，对超薄SiO2进行快速热氮化（RTN）制备了SiOxNy膜．研究了不同RTN条件下制备的SiOxNy样品的AES测量的氮纵向分布．研究结果表明，在较低的温度下（＜900℃）氯化速率是缓慢的，而在界面处因应变键容易被打破，速率稍快可形成氮峰．当温度高于900℃时，氮化速率加剧，分别形成表面和界面两个氮峰．基于研究分析的结果，意图提出一种描述快速热氮化超薄SiO2的微观机理． |
| 关 键 词： | 二氧化硅 热氮化 氮分布 氮化机理 |
| 本文献已被 CNKI 维普 等数据库收录！ | |
| 点击此处可从《半导体学报》浏览原始摘要信息 | |
| 点击此处可从《半导体学报》下载全文 | |
