| SOI高温压力传感器的研究 |
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| 引用本文： | 张书玉,张维连索开南牛新环张生才,姚素英.SOI高温压力传感器的研究[J].传感技术学报,2006,19(4):984-987. |
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| 作者姓名： | 张书玉 张维连索开南牛新环张生才 姚素英 |
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| 作者单位： | 1. 河北工业大学,半导体材料研究所,天津,300130
2. 天津大学电子信息工程学院,天津,300072 |
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| 摘 要： | 介绍了SOI压力传感器的制作工艺,并且通过有限元软件对传感器输出特性进行模拟,模拟结果与实际测得结果是相符的.对SOI压力传感器测量结果表明,当温度增加到220℃传感器仍然能保持很好线性.另外对SOI压力传感器和多晶硅压力传感器进行比较,发现单晶硅SOI高温压力传感器灵敏度比多晶硅高温压力传感器灵敏度有较大提高.
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| 关 键 词： | 压力传感器 灵敏度 有限元 |
| 文章编号： | 1004-1699（2006）04-0984-04 |
| 收稿时间： | 2005-10-17 |
| 修稿时间： | 2005年10月17日 |
Research of SOI High Temperature Pressure Sensor |
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| Zhang Shuyu,Zhang Weilian,Suo KainanZhang Shengcai,Yao Suying.Research of SOI High Temperature Pressure Sensor[J].Journal of Transduction Technology,2006,19(4):984-987. |
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| Authors: | Zhang Shuyu Zhang Weilian Suo KainanZhang Shengcai Yao Suying |
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| Affiliation: | 1. Semiconductor Material Institute, Hebei University of Technology, Tianjin 300130, China ; 2. School of Electronics and Information Engineering, Tianjin University, Tianjin 300072, China |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | SOI |
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