| Bi2Se3薄膜及Pb掺杂电子结构变化的第一性原理研究 |
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| 引用本文： | 陈磊,朱亚波,李延龄,范贺良,赫占军.Bi2Se3薄膜及Pb掺杂电子结构变化的第一性原理研究[J].稀有金属材料与工程,2016,45(11):2809-2813. |
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| 作者姓名： | 陈磊 朱亚波 李延龄 范贺良 赫占军 |
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| 作者单位： | 中国矿业大学,中国矿业大学,江苏师范大学,中国矿业大学,中国矿业大学 |
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| 基金项目： | Fundamental Research Funds for the Central Universities（Grant No. 2013XK07） |
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| 摘 要： | 采用第一性原理平面波赝势方法，研究Bi2Se3从块体到薄膜的电子结构变化特性. 通过分析材料的原子位置以及电子间相互作用，具体探讨块体、双层和单层薄膜及单层Pb掺杂薄膜的能带结构、态密度等.计算结果表明，这几种材料的价带和导带主要由原子的p态构成，同时由于Bi（Pb）的6s轨道态对价带顶的影响，它们的带隙类型随着材料结构的变化，发生从直接带隙到间接带隙的转变，此外Pb掺杂单层薄膜后产生的Se(1／)层对其电子结构的变化有重要影响.
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| 关 键 词： | Bi2Se3薄膜 能带 态密度 电子结构 |
| 收稿时间： | 2014/7/26 0:00:00 |
| 修稿时间： | 2014/8/30 0:00:00 |
First-principles investigation of Bi2Se3 thin film and the films doped with Pb |
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| chenlei,zhuyabo,liyanling,fanheliang and hezhanjun.First-principles investigation of Bi2Se3 thin film and the films doped with Pb[J].Rare Metal Materials and Engineering,2016,45(11):2809-2813. |
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| Authors: | chenlei zhuyabo liyanling fanheliang and hezhanjun |
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| Affiliation: | School of Materials Science and Engineering, China University of Mining and Technology,School of Materials Science and Engineering, China University of Mining and Technology,School of Physics and Electronic Engineering, Jiangsu Normal University,School of Materials Science and Engineering, China University of Mining and Technology,School of Materials Science and Engineering, China University of Mining and Technology |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | Bi2Se3 film Pb dopant energy bands density of states |
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