| 低压化学气相沉积制备掺硼碳薄膜及其表征 |
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| 引用本文： | 杨文彬,张立同,成来飞,徐永东,刘永胜.低压化学气相沉积制备掺硼碳薄膜及其表征[J].硅酸盐学报,2007,35(5):541-545. |
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| 作者姓名： | 杨文彬 张立同 成来飞 徐永东 刘永胜 |
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| 作者单位： | 西北工业大学,超高温结构复合材料国防科技重点实验室,西安,710072 |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金
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国家自然科学基金
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教育部长江学者和创新团队发展计划 |
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| 摘 要： | 以BCl3和C3H6分别作为低压化学气相沉积制备掺硼碳材料的硼源和碳源,采用热壁化学气相沉积炉,于1 100℃在碳纤维基底上制备了掺硼碳薄膜.采用扫描电镜、X射线衍射和X射线光电子能谱对样品作了表征.结果表明:产物表面光滑,断面呈细密的片层状结构,产物由B4C和石墨化程度较高的热解碳组成.采用掺硼碳薄膜中含有15%(摩尔分数,下同)硼.硼原子化学键结合状态共有5种,分别是:B4C的中的B-C键,硼原子替代固溶在类石墨结构中形成的B-C键,BC2O和BCO2结构中B-C键和B-O键的混合态,以及B2O3中的B-O键.其中超过40%的硼原子以替代固溶的形式存在于热解碳的类石墨结构中.
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| 关 键 词： | 低压化学气相沉积 掺硼碳薄膜 片层结构 X射线光电子能谱 X射线衍射 |
| 文章编号： | 0454-5648(2007)05-0541-05 |
| 修稿时间： | 08 1 2006 12:00AM |
PREPARATION AND CHARACTERIZATION OF BORON DOPED CARBON THIN FILM BY LOW PRESSURE CHEMICAL VAPOR DEPOSITION |
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| YANG Wenbin,ZHANG Litong,CHENG Laifei,XU Yongdong,LIU Yongsheng.PREPARATION AND CHARACTERIZATION OF BORON DOPED CARBON THIN FILM BY LOW PRESSURE CHEMICAL VAPOR DEPOSITION[J].Journal of The Chinese Ceramic Society,2007,35(5):541-545. |
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| Authors: | YANG Wenbin ZHANG Litong CHENG Laifei XU Yongdong LIU Yongsheng |
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| Keywords: | low pressure chemical vapor deposition boron doped carbon thin film laminated structure X-ray photoelectron spectroscopy X-ray diffraction |
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