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| 加工用考夫曼宽束离子源技术概述 | |
| 引用本文： | 尤大纬 ,孟宪光.加工用考夫曼宽束离子源技术概述[J].电工电能新技术,1984(3). |
| 作者姓名： | 尤大纬 孟宪光 |
| 作者单位： | 中国科学院半导体所 |
| 摘 要： | 宽束离子源区别于一般的窄束离子源.它通过多孔栅引出离子束.在空间很多个子束经过均匀混合下形成大面积的离子束.在同样的加速电压下,它能产生比单孔栅面积更大、束流更强并且更均匀的离子束.由于宽束离子源的这些优点,使它更适合应用于各种类型的加工。其中一个重要的领域是溅射加工用的考夫曼(Kaufman)型宽束离子源(简称考夫曼源) |
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