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| RF溅射钕掺杂ZnO薄膜工艺与结构研究 | |
| 引用本文： | 文军,陈长乐,潘峰.RF溅射钕掺杂ZnO薄膜工艺与结构研究[J].功能材料,2008,39(5):761-763. |
| 作者姓名： | 文军 陈长乐 潘峰 |
| 作者单位： | 1. 西北工业大学,理学院应用物理系,陕西,西安,710072;渭南师范学院,物理系,陕西,渭南,714000 2. 西北工业大学,理学院应用物理系,陕西,西安,710072 3. 西北工业大学,理学院应用物理系,陕西,西安,710072;陕西理工学院,物理系,陕西,汉中,723001 |
| 摘 要： | 通过射频磁控溅射技术在Si(111)衬底上制备了未掺杂和Nd掺杂ZnO薄膜,研究了衬底温度、氧分压以及Nd不同掺杂浓度等工艺参数对薄膜的影响.薄膜的结构和表面形貌通过XRD分析和AFM观测,表明制备的薄膜为ZnO:Nd纳米多晶薄膜,其表面形貌粗糙,不同沉积条件对薄膜生长有很大的影响.在纯氩气氛中、衬底温度为300℃的条件下,ZnO:Nd薄膜具有c轴择优取向. |
| 关 键 词： | Nd掺杂 ZnO薄膜 X射线衍射分析 原子力显微镜 射频磁控溅射 |
| 文章编号： | 1001-9731(2008)05-0761-03 |
| 修稿时间： | 2007年10月8日 |
Research of deposition condition and structural properties of Nd-doped ZnO thin films grown by RF magnetron sputtering |
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| WEN Jun,CHEN Chang-le,PAN Feng.Research of deposition condition and structural properties of Nd-doped ZnO thin films grown by RF magnetron sputtering[J].Journal of Functional Materials,2008,39(5):761-763. | |
| Authors: | WEN Jun CHEN Chang-le PAN Feng |
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