| 硅基AlN应力和压电极化研究 |
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| 引用本文： | 邓咏桢,孔月婵,郑有炓,周春红,沈波,张荣.硅基AlN应力和压电极化研究[J].稀有金属,2004,28(3):495-498. |
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| 作者姓名： | 邓咏桢 孔月婵 郑有炓 周春红 沈波 张荣 |
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| 作者单位： | 南京大学物理系,江苏省光电信息功能材料重点实验室,江苏,南京,210093 |
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| 基金项目： | 国家重点研究基础专项 (G2 0 0 0 0 683 )，国家自然科学基金 ( 60 13 60 2 0, 699870 0 1,60 2 760 3 160 2 90 0 80 )，国家高技术863计划资助项目 ( 2 0 0 2AA3 0 5 3 0 4) |
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| 摘 要： | 通过XRD和Raman谱研究了用金属有机化学气相沉积 (MOCVD)的方法在Si( 111)面上生长的AlN薄膜层上的应力和压电极化 ,Raman谱观察到两个声子峰位分别在 619.5cm- 1 (A1 (TO) )和 668.5cm- 1 (E2 (high) )。通过光学声子E2 (high)的频移为 13cm- 1 计算得到AlN薄膜上的双轴压应力为 5 .1GPa ,在z轴方向上和在垂直于z轴方向上的应变分别为εzz=6 7× 10 - 3和εxx=-1 1× 10 - 2 ,产生的压电极化电荷PPE=2 .2 6× 10 - 2 c·m- 2 ,这相当于在Si的表面产生浓度为 1.41× 10 1 3c·cm- 2 的电子积累。同时 ,实验还发现在MOCVD生长过程中存在Si原子的扩散 ,在界面处形成了一个过渡层 ,过渡层主要以Si原子取代Al原子的位置并形成Si-N键为主。
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| 关 键 词： | 拉曼谱 应力 压电极化 Si-N键 |
| 文章编号： | 0258-7076(2004)03-0495-04 |
| 修稿时间： | 2003年9月20日 |
Study on Strain and Piezoelectric Polarization of AlN/Si |
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| Deng Yongzhen,Kong Yuechan,Zheng Youdou,Zhou Chunhong,Shen Bo,Zhang Rong.Study on Strain and Piezoelectric Polarization of AlN/Si[J].Chinese Journal of Rare Metals,2004,28(3):495-498. |
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| Authors: | Deng Yongzhen Kong Yuechan Zheng Youdou Zhou Chunhong Shen Bo Zhang Rong |
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| Affiliation: | Deng Yongzhen,Kong Yuechan,Zheng Youdou~*,Zhou Chunhong,Shen Bo,Zhang Rong |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | Raman spectra stress piezoelectric polarization Si-N bonds |
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