| EUT对TEM传输室基本特性影响的边界元分析 |
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| 引用本文： | 胡玉生,蒋全兴,徐加征. EUT对TEM传输室基本特性影响的边界元分析[J]. 微波学报, 2003, 19(4): 79-82 |
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| 作者姓名： | 胡玉生 蒋全兴 徐加征 |
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| 作者单位： | 东南大学机械工程系电磁兼容研究室,南京,210096 |
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| 摘 要： | 采用边界元法分析了不同尺寸的良导体受试设备(Equipment Under Test，EUT)对TEM传输室特性阻抗和场分布的影响，并估算了敏感度测试中EUT所承受暴露场强的大小。计算结果表明：与空载时相比当EUT满足“1／3准则”时，TEM传输室的特性阻抗下降值小于2Ω，EUT上、下方场强增加3～4dB，EUT上部所承受暴露场强比通常的估算方法高约4～6dB。测量结果与计算结果基本一致。
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| 关 键 词： | EUT 边界元法 良导体受试设备 TEM传输室 特性阻抗 场分布 横电磁波 电磁兼容 |
| 文章编号： | 1005-6122(2003)04-0079-04 |
| 修稿时间： | 2002-10-24 |
BEM Analysis of the Effects of EUT on the Basic Properties of TEM Cell |
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| Hu Yusheng,Jiang Quanxing,Xu Jiazheng. BEM Analysis of the Effects of EUT on the Basic Properties of TEM Cell[J]. Journal of Microwaves, 2003, 19(4): 79-82 |
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| Authors: | Hu Yusheng Jiang Quanxing Xu Jiazheng |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | Equipment under test Characteristic impedance Field distribution TEM cell Bo undary element method(BEM) |
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