| MOCVD制备定向生长ZnO压电薄膜 |
| |
| 引用本文： | 林煌,袁洪涛,童强,张阳,张跃.MOCVD制备定向生长ZnO压电薄膜[J].功能材料,2004,35(Z1):1358-1360. |
| |
| 作者姓名： | 林煌 袁洪涛 童强 张阳 张跃 |
| |
| 作者单位： | 林煌（北京航空航天大学,材料科学与工程学院,北京,100083）;袁洪涛（北京航空航天大学,材料科学与工程学院,北京,100083）;童强（北京航空航天大学,材料科学与工程学院,北京,100083）;张阳（北京航空航天大学,材料科学与工程学院,北京,100083）;张跃（北京航空航天大学,材料科学与工程学院,北京,100083） |
| |
| 基金项目： | 国家自然科学基金资助项目(50172002) |
| |
| 摘 要： | 采用大气开放式金属有机化合物化学气相沉积(A-MOCVD)的方法,在普通多晶黄铜基片上制备ZnO薄膜.薄膜的SEM、XRD结果表明ZnO沿C轴取向垂直生长在基片上.综合分析ZnO自身晶体生长习性,提出了ZnO薄膜在普通多晶铜表面的生长模型.并将ZnO薄膜制备成压电双晶片元件,在光学显微镜下能观察到元件尖端产生了很大的位移量,结果表明高定向性ZnO薄膜具有优异的压电特性.该压电器件使得传统的小变形双晶片元件的数学模型失效,有必要建立新型大变形双晶片物理、数学模型.
|
| 关 键 词： | ZnO薄膜 MOCVD 定向生长 压电双晶片 |
| 文章编号： | 1001-9731(2004)增刊-1358-03 |
| 修稿时间： | 2004年6月11日 |
Preparation of oriented ZnO piezoelectric film by MOCVD |
| |
| Abstract: | |
| |
| Keywords: | |
|
|
