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Above 16% efficient sequentially grown Cu(In,Ga)(Se,S)2‐based solar cells with atomic layer deposited Zn(O,S) buffers
Authors:
Saoussen Merdes
Florian Ziem
Tetiana Lavrenko
Thomas Walter
Iver Lauermann
Max Klingsporn
Sebastian Schmidt
Frank Hergert
Rutger Schlatmann
Abstract:
We report the development of Cd‐free buffers by atomic layer deposition for chalcopyrite‐based solar cells. Zn(O,S) buffer layers were prepared by atomic layer deposition on sequentially grown Cu(In,Ga)(Se,S)
2
absorbers from Bosch Solar CISTech GmbH. An externally certified efficiency of 16.1% together with an open circuit voltage of 612 mV were achieved on laboratory scale devices. Stability tests show that the behavior of the ALD‐Zn(O,S)‐buffered devices can be characterized as stable only showing a minor drift of the open circuit voltage and the fill factor. Copyright © 2015 John Wiley & Sons, Ltd.
Keywords:
chalcopyrite
thin film
solar cell
atomic layer deposition
sequential process
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