| 直接键合硅片界面键合能的理论分析 |
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| 引用本文： | 韩伟华,余金中,王启明.直接键合硅片界面键合能的理论分析[J].半导体学报,2001,22(2):140-144. |
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| 作者姓名： | 韩伟华 余金中 王启明 |
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| 作者单位： | [1]中国科学院半导体研究所集成光电子学国家重点实验室，北京100083 [2]中国科学院半导体研究所集成光电子学国家重 |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金(批准号69990540及69896260-06)和科技部973资助项目(合同号G20000366). |
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| 摘 要： | 直接键合硅片界面的键合能依赖于界面成键的密度 ,是退火温度和时间的函数 ,界面反应激活能决定着成键的行为 .硅片键合能随退火温度分两步增加 ,这种现象被归因于界面反应存在两种不同的激活能 .将硅本征氧化层与硅热氧化层两种键合界面在退火过程中的行为进行了理论分析与比较 .硅本征氧化层的键合能随温度的增加要比热氧化层界面的大 .键合能的饱和时间与激活能密切相关
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| 关 键 词： | 键合能 激活能 退火 |
| 文章编号： | 0253-4177（2001）02-0140-05 |
| 修稿时间： | 2000年1月27日 |
Theoretical Analysis on Bonding Energies for Silicon Direct Bonding |
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| HAN Wei-hua.Theoretical Analysis on Bonding Energies for Silicon Direct Bonding[J].Chinese Journal of Semiconductors,2001,22(2):140-144. |
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| Authors: | HAN Wei-hua |
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| Abstract: | The bonding energy for silicon direct bonding,as a function of the annealing temperature and time,depends on the density of the bond species.Activation energy is a critical factor influencing the bonding behavior.One to the existance of two different activation energies,the bonding energy increaes with the annealing temperature in two steps.Wafer pairs with bonding interface being native oxide or thermal oxide have different bonding behavior in the annealing process,which were investigated and compared.With the temperature increasing,the bonding energy of the native oxide interface increases much more rapidly than that of the thermal oxide interface.The saturation time of bonding energy closely correlates with the activation energy at a given annealing temperature. |
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| Keywords: | bonding energy activation energy annealing |
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