| 物理气相传输法生长大尺寸AlN晶体及其性质表征 |
| |
| 引用本文： | 董志远,赵有文,魏学成,李晋闽.物理气相传输法生长大尺寸AlN晶体及其性质表征[J].半导体学报,2007,28(2):204-208. |
| |
| 作者姓名： | 董志远 赵有文 魏学成 李晋闽 |
| |
| 作者单位： | 中国科学院半导体研究所,北京,100083;中国科学院半导体研究所,北京,100083;中国科学院半导体研究所,北京,100083;中国科学院半导体研究所,北京,100083 |
| |
| 摘 要： | 利用物理气相传输法生长了直径40～50 mm、厚约8～10 mm的AlN多晶锭,最大晶粒尺寸为5 mm.用喇曼散射和阴极荧光谱研究了AlN晶体的结晶质量、缺陷和结构特性.分析了不同温度下AlN晶体的导电特性,并确定在AlN晶体中存在一个激活能约为0.98eV的深能级缺陷.结合这些结果分析了PVT法生长条件对AlN体单晶生长和晶体质量的影响.
|
| 关 键 词： | AlN 物理气相传输法 缺陷 |
| 文章编号： | 0253-4177(2007)02-0204-05 |
| 修稿时间： | 08 18 2006 12:00AM |
Physical Vapor Transport Growth and Characterization of Large Bulk AlN Crystal |
| |
| Dong Zhiyuan,Zhao Youwen,Wei Xuecheng and Li Jinmin.Physical Vapor Transport Growth and Characterization of Large Bulk AlN Crystal[J].Chinese Journal of Semiconductors,2007,28(2):204-208. |
| |
| Authors: | Dong Zhiyuan Zhao Youwen Wei Xuecheng and Li Jinmin |
| |
| Affiliation: | Institute of Semiconductors,Chinese Academy of Sciences,Beijing 100083,China;Institute of Semiconductors,Chinese Academy of Sciences,Beijing 100083,China;Institute of Semiconductors,Chinese Academy of Sciences,Beijing 100083,China;Institute of Semiconductors,Chinese Academy of Sciences,Beijing 100083,China |
| |
| Abstract: | |
| |
| Keywords: | AlN physical vapor transport defects |
| 本文献已被 CNKI 维普 万方数据 等数据库收录！ |
| 点击此处可从《半导体学报》浏览原始摘要信息 |
|
点击此处可从《半导体学报》下载全文 |
|
