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| 硅基SiN_xO_y∶C~+薄膜的光致发光 | |
| 引用本文： | 廖良生,刘小兵,熊祖洪,何钧,侯晓远.硅基SiN_xO_y∶C~+薄膜的光致发光[J].半导体学报,1998,19(3):172-176. |
| 作者姓名： | 廖良生 刘小兵 熊祖洪 何钧 侯晓远 |
| 作者单位： | 复旦大学应用表面物理国家重点实验室，李政道物理学综合实验室，长沙电力学院物理系 |
| 摘 要： | 采用等离子体增强化学气相淀积法在单晶硅片表面淀积一层厚约１２０ｎｍ的ＳｉＮｘＯｙ薄膜，并在薄膜中注入Ｃ＋，注入能量为３５ｋｅＶ，剂量为５×１０１６ｃｍ－２．注Ｃ＋样品在４４１．６ｎｍ的蓝光激发下，可以产生峰值约为５５０ｎｍ的光致发光．样品经６００℃退火后，发光强度达到最大． |
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