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半导体制造中颗粒污染的控制方法研究
引用本文:李敬,钱省三.半导体制造中颗粒污染的控制方法研究[J].半导体技术,2004,29(8):38-40,46.
作者姓名:李敬  钱省三
作者单位:上海理工大学工业工程研究所/微电子发展研究中心,上海,200093;上海理工大学工业工程研究所/微电子发展研究中心,上海,200093
摘    要:首先分析了半导体制造中颗粒污染的来源,然后介绍了用C控制图进行颗粒污染控制的方法及其不足,进而提出了用多元回归分析进行颗粒污染控制的方法及实施.

关 键 词:污染  成品率  C控制图  多元回归分析
文章编号:1003-353X(2004)08-0038-03

Research of the control method for particles during semiconductor manufacturing
LI Jing,QIAN Xing-san.Research of the control method for particles during semiconductor manufacturing[J].Semiconductor Technology,2004,29(8):38-40,46.
Authors:LI Jing  QIAN Xing-san
Abstract:Particle source is analyses , and then it introduces the application of C control chart, as well as its shortage, at last brings forward the method of using multiple regression analysis to set control limits for the particles.
Keywords:contamination  yield  C  control  chart  multiple  regression  analysis
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