| Al组分阶变势垒层AlGaN/AlN/GaN HEMTs的制备及性能 |
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| 引用本文： | 马志勇,王晓亮,胡国新,肖红领,王翠梅,冉军学,李建平.Al组分阶变势垒层AlGaN/AlN/GaN HEMTs的制备及性能[J].半导体学报,2007,28(Z1):394-397. |
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| 作者姓名： | 马志勇 王晓亮 胡国新 肖红领 王翠梅 冉军学 李建平 |
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| 作者单位： | 马志勇（中国科学院半导体研究所,北京,100083）;王晓亮（中国科学院半导体研究所,北京,100083）;胡国新（中国科学院半导体研究所,北京,100083）;肖红领（中国科学院半导体研究所,北京,100083）;王翠梅（中国科学院半导体研究所,北京,100083）;冉军学（中国科学院半导体研究所,北京,100083）;李建平（中国科学院半导体研究所,北京,100083） |
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| 基金项目： | 中国科学院知识创新工程项目
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国家自然科学基金
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国家重点基础研究发展计划(973计划) |
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| 摘 要： | 用金属有机物化学气相沉积(MOCVD)技术,在蓝宝石衬底上生长了Al组分阶变势垒层结构的AlGaN/AlN/GaN高电子迁移率晶体管结构材料.用三晶X射线衍射(TCXRD)和原子力显微镜(AFM)对材料的结构、界面特性和表面形貌进行了研究.测试结果表明该材料具有优良的晶体质量和表面形貌,GaN(0002)衍射蜂的半高宽为4.56＇,AFM 5μm×5μm扫描面积的表面均方根粗糙度为0.159nm;TCXRD测试中在AlGaN(0002)衍射峰右侧观察到Pendell(o)sung条纹,表明AlGaN势垒层具有良好的晶体质量和高的异质结界面质量.
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| 关 键 词： | AlGaN/AlN/GaN Pendell(o)sung条纹 金属有机物化学气相沉积 高电子迁移率晶体管 组分 势垒层 AlGaN HEMTs 性能 Properties Preparation 界面质量 异质结 衍射峰 测试结果 均方根粗糙度 表面形貌 扫描面积 半高宽 晶体质量 研究 界面特性 结构材料 显微镜 |
| 文章编号： | 0253-4177(2007)S0-0394-04 |
| 修稿时间： | 2006年11月22 |
Preparation and Properties of AlGaN/AlN/GaN HEMTs with Compositionally Step-Graded AlGaN Barrier Layer |
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| Ma Zhiyong,Wang Xiaoliang,Hu Guoxin,Xiao Hongling,Wang Cuimei,Ran Junxue,Li Jianping.Preparation and Properties of AlGaN/AlN/GaN HEMTs with Compositionally Step-Graded AlGaN Barrier Layer[J].Chinese Journal of Semiconductors,2007,28(Z1):394-397. |
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| Authors: | Ma Zhiyong Wang Xiaoliang Hu Guoxin Xiao Hongling Wang Cuimei Ran Junxue Li Jianping |
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