| SOI材料上硅薄膜电池的研究 |
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| 引用本文： | 吴虎才,许颖,王文静,励旭东,叶小琴,周宏余.SOI材料上硅薄膜电池的研究[J].太阳能学报,2004,25(2):133-137. |
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| 作者姓名： | 吴虎才 许颖 王文静 励旭东 叶小琴 周宏余 |
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| 作者单位： | 1. 北京师范大学低能核物理研究所,北京,100875
2. 北京市太阳能研究所,北京,100083 |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金项目资助(60276032)，北京市自然科学基金重点项目资助(2021010)，国家重点基础研究发展规划(G2000028208) |
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| 摘 要： | 用注氧隔离法在单晶硅衬底中形成SiO2隔离层,制备成SOI(SiliconOnInsulator)衬底,用快速化学汽相沉积(RTCVD)法在此衬底上制备硅薄膜,热扩散形成PN结,制备成薄膜太阳电池,电池表面钝化及减反膜采用的是等离子增强化学气相沉积(PECVD)方法制备的SiN,薄膜电池的电极全部由正面引出,制成的23μm厚薄膜电池的光电转换效率为8 12%(1×1cm2,AM1 5,23℃)。扩展电阻的测量表明电池有良好的PN结特性;量子效率测量表明SiN比常规的热氧化SiO2有更好的减反射和钝化作用;电池的暗特性表明电池具有较高的串联电阻,并分析了正面引电极对串联电阻的影响。
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| 关 键 词： | SOI 化学汽相沉积 薄膜 电池转换效率 |
| 文章编号： | 0254-0096(2004)02-0133-05 |
CRYSTALLINE SILICON THIN FILM SOLAR CELL ON SOI SUBSTRATES |
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| Wu Hucai,Xu Ying,Wang Wenjing,Li Xudong,Ye Xiaoqin,Zhou Hongyu.CRYSTALLINE SILICON THIN FILM SOLAR CELL ON SOI SUBSTRATES[J].Acta Energiae Solaris Sinica,2004,25(2):133-137. |
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| Authors: | Wu Hucai Xu Ying Wang Wenjing Li Xudong Ye Xiaoqin Zhou Hongyu |
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| Affiliation: | Wu Hucai~1,Xu Ying~2,Wang Wenjing~2,Li Xudong~2,Ye Xiaoqin~1,Zhou Hongyu~1 |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | solar cell efficiency series resistance plasma enhanced chemical vapor deposition (PECVD) |
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