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CdSe单晶生长技术研究
引用本文:张颖武.CdSe单晶生长技术研究[J].河南科技,2015(8).
作者姓名:张颖武
作者单位:中国电子科技集团公司第四十六研究所,天津,300220
摘    要:硒化镉(CdSe)是一种光学和电学性能优异的Ⅱ-Ⅵ族半导体材料。目前有多种晶体生长技术可获得CdSe单晶材料。本文基于晶体生长理论分析了气相法、熔体法等CdSe单晶生长方法的物理机理,并结合CdSe材料的物理特性,综述了当前国内外CdSe单晶生长技术的研究进展。

关 键 词:CdSe  单晶  气相法  熔体法

Study on the Technology of Growing CdSe Single Crystal
Authors:Zhang Yingwu
Abstract:
Keywords:CdSe  single crystal  gas phase method  melt method
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