| 用InGaN/AlGaN超晶格降低p-GaN欧姆接触电阻 |
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| 引用本文： | 郑清洪,尹以安,黄瑾,刘宝林.用InGaN/AlGaN超晶格降低p-GaN欧姆接触电阻[J].半导体光电,2009,30(3):403-407. |
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| 作者姓名： | 郑清洪 尹以安 黄瑾 刘宝林 |
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| 作者单位： | 厦门大学,物理系,福建,厦门,361005;厦门大学,物理系,福建,厦门,361005;厦门大学,物理系,福建,厦门,361005;厦门大学,物理系,福建,厦门,361005 |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金，国家高技术研究发展计划(863计划)，福建省科技项目 |
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| 摘 要： | 提出用p-InGaN/AlGaN超晶格作为p-GaN的接触层来获得低阻欧姆接触.通过一维薛定谔方程和泊松方程的自洽求解,得到了在极化效应影响下的InGaN/AlGaN,InGaN/GaN和GaN/AlGaN三种超晶格中Mg杂质离化率的空间分布.计算发现InGaN/AlGaN超晶格具有最高的Mg杂质离化率及最佳的空穴局域作用.最后,利用p-InGaN/AlGaN超晶格实验上实现了比接触电阻率为7.27×10-5Ω·cm2的良好欧姆接触.
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| 关 键 词： | 欧姆接触 极化 离化率 空穴面密度 |
Reduce Ohmic Contact Resistance to p-GaN Using InGaN/AIGaN Superlattice |
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| ZHENG Qing-hong,YIN Yi-an,HUANG Jin,LIU Bao-lin.Reduce Ohmic Contact Resistance to p-GaN Using InGaN/AIGaN Superlattice[J].Semiconductor Optoelectronics,2009,30(3):403-407. |
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| Authors: | ZHENG Qing-hong YIN Yi-an HUANG Jin LIU Bao-lin |
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