| 退火温度对SiC薄膜结构和光学特性的影响 |
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| 引用本文： | 沙振东,吴雪梅,诸葛兰剑.退火温度对SiC薄膜结构和光学特性的影响[J].微细加工技术,2006(1):23-26. |
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| 作者姓名： | 沙振东 吴雪梅 诸葛兰剑 |
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| 作者单位： | 1. 苏州大学,物理系,苏州,215006
2. 苏州大学,分析测试中心,苏州,215006 |
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| 摘 要： | 采用磁控溅射技术在p-Si基片上制备出SiC薄膜。将样品放在管式退火炉中通N2保护,分别在400℃,600℃,800℃和1 000℃进行退火处理,研究了退火温度对薄膜结构以及光致发光特性(PL)的影响。发现随着退火温度的升高,薄膜的结晶程度变好,SiC在800℃开始有晶相出现,Si—C峰也在向高波数的方向移动,这主要是由于膜中的Si1-xCx的化学计量发生变化。PL谱中的三个峰:322 nm起源于薄膜中的中性氧空缺,370 nm起源于SiC发光,412 nm起源于薄膜中的C簇。
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| 关 键 词： | 薄膜结构 磁控溅射 退火温度 光致发光特性 |
| 文章编号： | 1003-8213(2006)01-0023-04 |
| 修稿时间： | 2005年6月23日 |
Influence of Annealing Temperature on the Structure and Photoluminescence Properties of SiC Films |
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| SHA Zheng-dong,WU Xue-mei,ZHUGE Lan-jian.Influence of Annealing Temperature on the Structure and Photoluminescence Properties of SiC Films[J].Microfabrication Technology,2006(1):23-26. |
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| Authors: | SHA Zheng-dong WU Xue-mei ZHUGE Lan-jian |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | SiC |
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