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利用现有外延材料生长技术和器件工艺技术,生长了背照式AlxGa1-xN pin外延材料,并用生长的材料制作了日盲紫外探测器,测试结果表明器件在0V偏压下抑制比达到了6 400。在此基础上,较详细地分析了偏置电压、p-AlxGa1-xN载流子浓度和Al组分、极化效应对背照式AlxGa1-xN pin日盲紫外探测器抑制比的影响及非日盲光生载流子的限制机制。分析表明,提高p-AlxGa1-xN载流子浓度和GaN/AlxGa1-xN异质结极化强度是现有技术条件下提高器件抑制比的有效途径。 相似文献
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第一次报道了以高温AlN为模板层的AlGaN基p-i-n背照式日光盲探测器的制作和器件特性.利用MOCVD方法在(0001)面的蓝宝石衬底上生长了探测器的AlxGa1-xN多层外延材料.在无需核化层的高温AlN模板上生长了p-i-n背照式日光盲探测器的无裂纹高Al组分(0.7)AlGaN多层外延结构.利用在线反射监测仪、三轴X射线衍射及原子力显微镜表征了外延材料的晶体质量.在1.8V的反向偏压下,制作的探测器表现出了日光盲响应特性,在270nm处最大响应度为0.0864A/W.具有约3.5V的正向开启电压,大于20V的反向击穿电压,在2V的反向偏压下暗电流小于20pA. 相似文献
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高温AlN为模板的AlGaN基p-i-n背照式日光盲探测器 总被引:1,自引:1,他引:0
第一次报道了以高温AlN为模板层的AlGaN基p-i-n背照式日光盲探测器的制作和器件特性.利用MOCVD方法在(0001)面的蓝宝石衬底上生长了探测器的AlxGa1-xN多层外延材料.在无需核化层的高温AlN模板上生长了p-i-n背照式日光盲探测器的无裂纹高Al组分(0.7)AlGaN多层外延结构.利用在线反射监测仪、三轴X射线衍射及原子力显微镜表征了外延材料的晶体质量.在1.8V的反向偏压下,制作的探测器表现出了日光盲响应特性,在270nm处最大响应度为0.0864A/W.具有约3.5V的正向开启电压,大于20V的反向击穿电压,在2V的反向偏压下暗电流小于20pA. 相似文献
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Zhen Bi Xiaodong Yang Jingwen Zhang Xuming Bian Dong Wang Xinan Zhang Xun Hou 《Journal of Electronic Materials》2009,38(4):609-612
A back-illuminated vertical-structure ZnO ultraviolet (UV) detector was fabricated using an indium-tin oxide (ITO) electrode.
Ordered ITO and ZnO films were grown on a quartz substrate by radiofrequency sputtering. At 5 V bias, the dark current was
640 μA and the photocurrent was 16.8 mA under UV illumination (365 nm, 10 μW), indicating a high responsivity of 1616 A/W. The response time measurements showed a rise time of 71.2 ns and a decay time
of 377 μs. The ZnO detector performed well and can be used in a focal-plane array for UV image detection. 相似文献
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针对背照式CCD47 - 10的驱动时序要求,提出以FPGA作为时序发生器的驱动电路设计方案.通过对时序分析,完成时序发生器、电压偏置电路、驱动器3个模块的硬件电路设计.使用VHDL语言进行逻辑电路设计,实现电路控制、参数配置以及驱动时序产生.最后通过成像实验,对驱动电路性能进行分析.实验表明,该电路能驱动CCD47 - 10在两种模式下稳定工作,满足CCD47 - 10的应用要求. 相似文献
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