排序方式: 共有78条查询结果,搜索用时 31 毫秒
1.
2.
3.
Selective liquid phase epitaxy (SLPE) of high purity(n = 2 × 1015 cm-3) In0.53Ga0.47As on SiO2-masked (100)-InP:Fe substrates has been performed and investigated using Normarski interference contrast microscopy and SEM.
The infill growth was done at low temperatures (˜ 585° C) directly into chemically (HC1:CH3COOH:H2O2) etched cavities without melt-etching. Square and circular recesses of 2–3 μm depth and varying size (100-500 μm) have been
used in contrast to common reported regrowth experiments in long channels. Enormously enhanced growth rates have been found
within the small structures. Orientation dependent growth effects are described. The realization of selectively grown areas
with flat surface morphology has been achieved which is important for optoelectronic integration.
Most information contained in this paper was presented at the 27th Electronic Materials Conference, Boulder, Co., June 20,
1985. 相似文献
4.
5.
设计了一种单片集成的光电接收机芯片.在同一衬底上制作了基于同一工艺的光电二极管与接收机电路,以消除混合集成引入的寄生影响.这种单片集成接收机采用了先进的深亚微米MS/RF(混合信号/射频)CMOS工艺,利用这种新型工艺提供的新技术对原有光电二极管进行了改进,使其部分性能显著改善,并对整个光电集成芯片性能的提高有所帮助. 相似文献
6.
7.
光互连技术的研究现状及发展 总被引:2,自引:0,他引:2
本文首先总结了光学互连的主要实现途径,然后评述了光互连的研究现状与最新发展,通过对存在的问题分析,最后给出了有关的结论。 相似文献
8.
评论用于光信息处理表面垂直光电子器件的近期进展。同时,讨论改善器件性能的几种方案。 相似文献
9.
报道了基于二维凹面光栅的单片集成波长解复用器件,器件刻蚀在InGaAsP/InP平板波导上,通过凹面光栅的色散作用实现不同波长光的分离,光的输入输出耦合由波阵列来完成,器件的工作波长在1.5μm附近,通道间隔约4.3nm。本文给出了器件的设计方法,制作工艺和初步测试结果。 相似文献
10.
在Ge_xSi_1-x电光调制器和探测器已经问世的基础上,提出了一种将它们集成起来的结构,通过原理和工艺技术的分析,认为这种光电集成是完全可以实现的。 相似文献