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严晓华 《中国图象图形学报》2006,11(11):1524-1528
超宽带(UWB)是实现高速无线个域网(WPAN)多媒体传输的关键技术。UWB以超短周期脉冲进行调制,并使用超宽的RF频谱带宽传递数据,可通过重叠的原则共享已占用的频谱资源;其具有频谱利用率高、抗多径衰落能力强、发送功率极小、系统安全性好等特点。UWB可为消费类电子设备提供高速无线连接解决方案,使视频连接和桌面应用等能在通用射频平台上运行。因此,研究UWB的标准化、产品化与市场化进程,剖析其主流技术。对于制订我国相关标准,促进UWB技术与系统产品在中国的发展和实施,具有积极的现实意义。为使UWB主流技术能被进一步了解,在跟踪研究UWB标准化的基础上,分析了作为国际上第1个商用UWB标准的多频带正交频分复用(MB—OFDM)方案的原理与技术特征,并阐述了基于该方案的无线多媒体超宽带(WiMedia UWB)平台与应用环境,产品整合进展及应用前景. 相似文献
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HE Peng-fei Lü Ying-hua ZHANG Hong-xin WANG Ye-qiu XU YongInstitute of Telecommunication Network Technology Beijing University of Posts Telecommunications Beijing China 《中国邮电高校学报(英文版)》2006,13(3):1-4
1 Introduction Multiband orthogonal frequency division multiplexing (MB- OFDM) ultra wideband (UWB) is a novel multicarrier UWB system that has been proposed as a physical layer for reliable high bit rate and short-range communication network. It uses OFD… 相似文献
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本论文设计了一个超宽带频率综合器。该频率综合器通过采用两个锁相环和一个单边带混频器产生了6至9GHz内的五个频带中心频率,频带之间的跳频时间小于3纳秒。文中提出了一个高线性度的二选一多路选择器,一个宽带的单边带混频器和一个正交压控振荡器。此外,版图也做了一些特殊考虑。该频率综合器采用0.18微米CMOS工艺实现,在1.5V至1.8V电源电压下消耗40mA电流,测试结果显示10MHz频偏处的相位噪声为-128dBc/Hz,在7.656GHz频带处的边带抑制为-22dBc。 相似文献
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A fully integrated CMOS phase-locked loop (PLL) which can synthesize a quadrature output frequency of 7.656 GHz is presented.The proposed PLL can be employed as a building block for an MB-OFDM UWB frequency synthesizer.To achieve fast loop settling,integer-N architecture operating with 66 MHz reference frequency and wideband QVCO are implemented.I/Q carriers are generated by two bottom-series cross-coupled LC VCOs.Realized in 0.18μm CMOS technology,this PLL consumes 16 mA current (including buffers) from a 1.5 V supply and the phase noise is-109.6 dBc/Hz at 1 MHz offset.The measured oscillation frequency shows that the QVCO has a range of 6.95 to 8.73 GHz.The core circuit occupies an area of 1×0.5 mm2. 相似文献
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本文设计了一个全集成双模式 6-9 GHz 多带正交频分复用超宽带发射机,兼容 WiMedia 和中国标准。所设计的发射机主要包括:双模式的低通滤波器,上混频器,两级功率放大器以及一个用于产生本振信号的高频宽带频率除法器。 测试结果表明,此发射机在 6-8.7 GHz范围内的增益平坦度小于 1.5,而在 6-9 GHz范围内增加到 2.8 dB; 输出三阶交调量约为 13.2 dBm;输出 1dB 压缩点约为 2.8 dBm; 载波泄漏和边带抑制比分别为 -35dBc 和 -38 dBc。 本芯片采用 TSMC 0.13 μm 射频 CMOS 工艺制造,面积为 1.6 mm1.3 mm。在 1.2 V 电源电压下核心电路消耗电流为 46 mA。 相似文献
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针对因移动通信的迅猛发展使得移动通信系统重新显现的频谱匮乏、容量不足等问题,提出一种基于单天线移动终端的蜂窝链路多入多出(MIMO)容量增强技术,即基于超宽带技术的广义虚拟多入多出(G-VMIMO)结构的应用。文章详细讲述了G-VMIMO结构的原理和特点,并从理论上分析该结构具有MIMO容量增强性能。文章给出了G-VMIMO系统的构成方法和协议流程,并针对系统实现所面临的难点进行了详细探讨。最后,计算机仿真验证了G-VMIMO系统的容量增强性能以及可行性。 相似文献