Fe2O3-Al纳米铝热剂与超细RDX复合物的制备与性能

采用溶胶-凝胶方法,制备出了纳米铝热剂nano-Fe2O3-Al,并获得了其与超细RDX的复合含能材料nanoFe2O3-Al/SFRDX。采用BET法、SEM、XRD综合表征了nano-Fe2O3-Al的结构,采用TG/DSC联用技术测试了nano-Fe2O3-Al的热性能,结果表明气凝胶铝热剂的反应温度更低;nano-Fe2O3-Al的静电火花感度测试结果表明纳米铝热剂对静电十分敏感。对nano-Fe2O3-Al/SFRDX在无约束条件和密闭条件下的燃烧行为进行了研究,高速相机照片法发现在无约束条件下,nanoFe2O3-Al燃烧高达300 m/s,且nano-Fe2O3-Al/SFRDX具有在无约束条件下由燃烧转为爆轰的趋势。     

邯钢气体厂成功生产高纯氖氦产品

继2014年12月,邯钢气体厂生产的氪、氙"黄金气体"产品成功投放市场后,2015年3月9日,邯钢气体厂又成功研发生产出高纯氖、氦产品。邯钢气体厂生产高纯氖、氦产品的方式,为我国首创,完全拥有自主知识产权,开创了我国全部依靠自身技术力量生产高纯氖、氦产品的先河。目前,邯钢气体厂已具备了生产氪、氙、氖、氦稀有气体的能力,均填补了河北省空白,五种稀有气体全提取技术居国内领先水平。     

超临界二氧化碳压缩机非平衡冷凝研究进展

压缩机是超临界二氧化碳（S-CO2）动力循环系统的核心设备，其工作在S-CO2的近临界区域，因此S-CO2工质在压缩机内流动时易发生非平衡冷凝，影响系统性能与可靠性。压缩机内部的S-CO2非平衡冷凝实验观测难度大，数值模拟复杂，相关S-CO2压缩机设计经验也较为缺乏。本文结合近年研究成果，从研究方法、数学模型和实验研究等角度总结了目前S-CO2非平衡冷凝的研究进展，指出了需进一步开展的研究方向，如改变喷管几何结构参数，从而改变成核区体积，以改变流体在亚稳态区的滞留时间；改进气体状态方程进而提高亚稳态区域热物性精度，从而准确进行数值模拟；在设计S-CO2压缩机时，利用实验测得的Wilson线设定压缩机进口条件，构建新的安全边界等。     

铯分子亚稳电子态中高位振动态的产生和弛豫

研究了Cs2[13Πu(v)]和Cs原子间的振动能量转移.利用激光感生荧光(LIF)探测Cs2[13Πu(v)]的弛豫过程,由时间分辨LIF的对数描绘得到振动态的有效寿命,从不同Cs原子密度下的有效寿命利用Stern-Volmer公式得到振动能级的弛豫率,速率系数随v的增加而增大.从相邻二振动能级的布居密度之比得到振动...     

电子辐照直拉硅中VO2的红外光谱表征

用能量为1.5MeV,剂量为1.8×101 8e/cm2的电子束辐照直拉硅单晶样品,通过傅里叶变换红外光谱技术(FTIS)研究了辐照后样品中VO2缺陷随退火温度的变化及其热稳定性。实验结果表明,辐照在样品中引入了VO2的亚稳态缺陷,其特征吸收峰在低温红外光谱中向高频方向移动,300℃热处理时该亚稳态缺陷转化为VO缺陷;400℃热处理样品中出现了VO2的稳态缺陷,450℃热处理该稳态缺陷的峰值强度达到最大,当退火温度达到550℃时,该稳态缺陷完全消失并转化为其它复杂的缺陷。这种稳态的VO2缺陷经历450℃长时间热处理表现出良好的热稳定性,而在500℃短时热处理后转化为其它缺陷。     

等离子体技术用于表面改性

等离子体技术红聚合物材料的表面改性研究中有着广泛应用，其通常包含6种类型的粒子，对材料表面起作用的主要是电子，其次是离子、亚稳态粒子和光子等。     

TEXTOR—94中不同约束状态下的氖辐射效率

对于氖种籽放电，线性地取决于有效氖冷却率并能够被看作是氖辐射效率的一个量度的量[Δrad/ΔZeff(0)]/neo^2对于给出的装置不是一个常量，当按照运行模式[ΔPrad/ΔZeff(0)]no^2大时，在低Zeff下可有效地实现辐射功率排出，这个比值我们称作氖冷却品质，发现它不仅与等离子体边缘温度相关而且甚至更强地与放电的约束性能相关，已比较了TEXTOR－94中两种不同的离约束辐射状态：辐射改善（RI）模式（最高约束）和喷气／纯射频模式（略低约束），尽管由于输入功率水平的反馈控制使得电子温度分布在两种状态下是相似的，但是实验上已现现氖冷却品质在RI模式下比在喷气／纯射频模式下低，在用独立的诊断设备和方法确定的剩余固有碳的冷却品质中已观察到类似的特性，用自洽RITM牟模拟证明，粒子输运，尤其是边缘垂直扩散率，是在等离子体芯部给定的杂质浓度下确定边缘辐射功率水平的一个关键参数。     

火焰法制备Al/MoO3纳米片阵列的影响因素

亚稳态分子间复合物(MIC)阵列由于具有高能量密度、小尺寸条件下能自持反应的优点,在集成化火工品方面具有潜在的应用价值。采用火焰法在硅基底上原位制备了高度有序的MoO₃纳米片阵列,探讨了基底材料、纳米阵列生长时间、火焰源因素对生成MoO₃形貌的影响,得到了 MoO₃纳米片阵列的优化制备工艺条件: 以硅片为基底,生长时间为5 min和甲烷为火焰源。制备的纳米片厚度为100~200 nm,宽度约5 μm,长度达到十几个微米。分别采用磁控溅射和热蒸发在MoO₃纳米片阵列表面镀铝得到Al/MoO₃ MIC阵列,在铝膜厚度相同的情况下,采用热蒸发镀铝方式优于磁控溅射。热蒸发铝膜厚度为900 nm时,所获得的Al/MoO₃ MIC阵列具有较高的放热量,达到3276 J·g-1。     

基于FPGA的异步FIFO的设计方案及性能

分析了电子电路设计中异步FIFO设计的两个关键性难点:避免亚稳态现象的出现和空满状态的判断。为解决这两个问题,文中提出了四种方案:基于格雷码、基于移位码的、基于状态标志和基于区间地址的设计方案。设计方案均采用VHDL实现,并在FPGA的基础上进行仿真验证。结果显示这四种方案虽性能迥异,相差较大,但都有其独特的优势之处,能较好的完成异步FIFO的功能。