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1.
2.
利用热力学第二定律中的熵产理论对涡流空气分级机各不可逆因素引起的熵产进行分析,通过粉料分级试验对其分级性能进行验证,获得了黏性熵产、湍流熵产和壁面熵产分布特点及操作参数对熵产和分级精度的影响规律。熵产分析结果表明,涡流空气分级机内湍流熵产和壁面熵产占总熵产的比例高达56.41%和43.11%,湍流熵产主要产生于转笼叶片间和转笼内部,进风口和细粉出口壁面剪切引起较大壁面熵产;此外,转笼转速和进口风速变化分别仅对转笼区域和切向进风口区域内气流运动熵产影响较大,进口风速-转笼转速处于8.6m/s、 800r/min和18m/s、1200r/min操作工况附近时,涡流空气分级机内总熵产/总能变化率较小,分级流场稳定性较高,对粗、细颗粒分离有利,该工况下分级机的粉料分级试验效果较好,说明熵产理论可用于涡流分级机内流动分析及其操作参数的优化匹配。 相似文献
3.
在实验室搭建的有机玻璃料仓下料平台上,分别以自由流动粉体玻璃微珠和黏附性粉体煤粉和聚氯乙烯为实验介质,针对无改流体(No-In)、封闭改流体(Con-In)和开放改流体(Ucon-In)三种情况所形成的不同流道结构,开展了粉体料仓下料及其流率建模研究,定量分析了改流体对粉体下料流率的促进作用,对比给出了玻璃微珠、煤粉和聚氯乙烯在不同流道结构料仓内的下料特性。研究表明,改流体的引入有利于提高料仓下料流率,Con-In促进流动效果最明显,对于流动性弱的煤粉,下料流率提升幅度达到最大的58%。基于剪切摩擦区的概念,提出流率校正因子F对最小能量理论方程进行了修正,将理想的料仓下料模型拓展至实际下料过程。进一步,对于Con-In,根据流道结构特征结合对粉体的受力分析,修正了模型中的锥角项;对于Ucon-In,基于粉体下料流动竞争机制,提出分阶段下料模式并关联了内层和夹层的下料流率,最终建立了复杂流道结构料仓的下料流率预测模型。该模型综合考虑了粉体物性、下料流型和流道结构的影响,可有效预测自由流动粉体和黏附性粉体流经传统料仓(No-In)和改流体料仓(包括Con-In和Ucon-In)的粉体下料流率,且预测偏差<10%。 相似文献
4.
以硅渣和玻璃粉为原料,采用粉体直接烧结法制备多孔材料,研究了烧结温度(700~900℃)、烧结时间(15~120min)和升温速率(10~100℃·min^-1)对多孔材料表观密度、气孔率、物相组成、抗压强度的影响。结果表明:气孔结构均匀性随烧结温度的升高而降低;表观密度随烧结温度的升高先减小后增大,随保温时间的延长而增大,随升温速率的增大而减小,气孔率的变化趋势与表观密度的相反;多孔材料的主要物相为玻璃相和硅、SiC、SiO2、Ca2Al2SiO7等结晶相,且结晶度随烧结温度的升高而降低;抗压强度随烧结温度的升高呈先增大后减小的趋势;当烧结温度为750℃,升温速率为30℃·min^-1,烧结时间为30 min时,多孔材料的主晶相为硅和Ca2Al2SiO7,抗压强度最大(1.60MPa),表观密度为0.43g·cm^-3,气孔率为80%。 相似文献
5.
8.
通过溶胶凝胶法制备了掺锡钛酸钡前驱体并进行了粉末和陶瓷样品制备,分析了掺杂Sn比例对BaTi1-xSnxO3粉末和陶瓷物相组成、微观形貌和铁电性能的影响.结果 表明,不同Sn掺杂比例下BaTi1-xSnxO3粉末的晶胞体积随着x值增加不断增大,当x=0.06时,BaTi0.94Sn0.06O3粉末中c/a值约等于1.009,为不同Sn掺杂比例下BaTi1-xSnxO3粉末中最大值;扫描电镜下,BaTi0.94Sn0.06O3粉末中颗粒的尺寸基本都在30μm以下,且基本呈四方结构.在x=0.06时,BaTi1-xSnxO3陶瓷中c/a值(1.021)和晶胞体积(65 166 nm3)为几组试样中最大值,表明BaTi0.94Sn0.06O3陶瓷中四方相晶型结构最显著.随着频率增加,BaTi1-xSnxO3陶瓷的剩余极化强度和矫顽场强都呈现逐渐减小特征,在相同频率下,BaTi0.94Sn0.06O3陶瓷的剩余极化强度最大、矫顽场强最小,具有最佳的铁电性能. 相似文献
10.
《中国粉体技术》2015,(5)
研究粒度标号为W2.5和W10、晶型为3C和6H的3C-W2.5、3CW10、6H-W2.5、6H-W10这4种SiC粉体的氧化性能,通过同步热分析仪讨论4种粉体在30~1 400℃时的非等温氧化特性,采用X射线衍射和扫描电子显微镜对氧化前、后粉体的物相和表面性质进行表征。结果表明:起始氧化温度从高到低的SiC粉体依次为3C-W10、6H-W2.5、6H-W10、3CW2.5,与其化学成分中SiO2相对含量由大到小的关系相一致;在相同实验条件下,高温氧化后同一晶型的粉体粒度标号为W2.5的质量变化大于W10的,粒度相同时,3C-SiC的质量变化小于6H-SiC的;加热至1 400℃后,SiC晶体表面有玻璃状SiO2生成。 相似文献