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金刚石膜在真空电子器件输出窗中的应用 总被引:3,自引:0,他引:3
综述了金刚石膜的性能和制备方法,着重介绍丁国内外常用的封接工艺,讨论了该材料在mm波器件中的应用前景。 相似文献
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把金刚石和氮化铝这两种宽带隙半导体集成到同一器件中,将可能获得短波紫外发光二极管和激光二极管。只是集成这两种结构不相似的物质并不容易:氮化铝是纤锌矿结构,而金刚石是立方体组织。德国Munchen科技大学的研究人员采用离子诱导分子束外延法做到了这一点。将掺硅氮化铝薄膜放置在自然生长的掺金刚石基底上,形成双极二极管,可以激发2.7eV~4.8eV(442nm~250nm)范围的激光。为了将该器件改进为发光器件,研究人员将蒸发态钛铝与样品两端电阻接触。 相似文献
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A three-dimensional model was developed to investigate the influence of various hot filaments parameters on substrate temperature fields that significantly affect the nucleation and growth of diamond films over large area by hot-filament chemical vapordeposition (HFCVD). Numerical simulated results indicated that substrate temperature varies as a function of hot filamentsnumber, radius, temperature, emissivity, the distance between filaments, and the distance between substrate and filamentsarrangement plane. When these filaments parameters were maintained at the optimal values, the homogeneous substrate temperature region of 76 mm×76 mm with the temperature fluctuation no more than 5% could be obtained by a 80 mm×80 mmhot filaments arrangement plane. Furthermore, the homogeneous region could be enlarged to 100 mm×100 mm under thecondition of supplementary hot filaments with appropriate parameters. All of these calculations provided the basis for speciallyoptimizing the hot filaments parameters to dep 相似文献
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