嫖宿幼女罪构成要件探讨

司法解释构成嫖宿幼女罪必须要具备明知要件,这种解释违背了立法本意,不利于实际司法操作,不利于对此种犯罪行为的打击.     

高贵心灵的无声抗争——《女勇士》与《红字》两则故事相似性之比较

华裔美国女作家汤婷婷的作品《女勇士》中无名女人的故事与美国19世纪浪漫主义小说家纳塞尼尔·霍桑的代表作《红字》中海斯特·白兰的故事都是有关通奸的故事，虽写于不同的时代，但两个故事有着惊人的相似性。本文从两个故事的发生原因，结果以及两位女主人公对通奸行为的态度三个方面简要分析两种通奸行为，旨在阐明通奸行为是两个女人对自由和爱情的追求以及她们对当时父权社会的反抗。     

证券投资组合理论和无差异曲线

文章通过无差异曲线解释了最优证券投资组合并探讨了对现代投资组合理论三个主要组成部分的有关内容.     

太阳能热水器的全自动控制电路

本文作者通过对目前市场上几种主要热水器的智能控制进行分析,发现其设计中的不足之处,并进行针对性的改进,设计出了单片机控制电路,该电路用于太阳热水器,能实现仅在用水时,若日晒水温达不到设定值,则电加热自动补温。用于电热水器,能实现在深夜用低谷电自动加温,白天用水时自动补温。实现了热水器的全自动及节能。达到智能控制方案的最优化,从而实现真正意义上的"全自动控制"。     

无缝线路缓冲区病害分析及根治措施

概述了缓冲区养护中存在的问题,分析了无缝线路缓冲区病害的成因,提出了治理病害的针对性措施.     

单片机－CRT接口板设计

详细阐述了单片机－ＣＲＴ接口板的设计原理，增强了单片机的显示手段，拓宽了单片机在生产过程监测系统中的应用。     

HYDC数据压缩器

描述了采用代换式压缩法,设计一个高效率的数据压缩器ＨＹＤＣ的过程,并给出一个在实际应用中的例子。     

Esscher-变换与风险测度技术

通过研究精算学中Esscher 变换技术及其对于金融市场中风险资产无套利原则的刻画,反映其在金融市场风险管理技术中的应用,证明了无套利原则、等价鞅测度的存在性和Esscher 变换在所建立的Hilbert 空间下的一致性,并建立了在无套利条件下求解鞅性成立的Esscher 变换下概率测度变换参数的方法。讨论了Esscher 变换在金融市场风险管理策略的选择问题中的应用,得到了组合融资最优策略的Esscher 变换参数的解析式。     

极小化加权完工时间和的调度问题

讨论目标函数为极小化加权完工时间和的调度问题·对于这类问题,平行机问题是NP 难的·基于对问题的分析,对工件的加工时间相等的恒速平行机问题,给出了多项式最优算法·Openshop问题是强NP 难的·给出了工序的加工时间相等的无等待Openshop问题与工件的加工时间相等的同速平行机问题的联系·根据这种联系,对工序的加工时间相等的无等待Openshop问题,给出了多项式最优算法·算法的复杂性均为O(nlogn mn)·     

HV/CVD Grown Relaxed SiGe Buffer Layers for SiGe HMOSFETs

High-vacuum/chemical-vapor deposition (HV/CVD) system was used to grow relaxed SiGe buffer layers on Si substrates. Several methods were then used to analyze the quality of the SiGe films. X-ray diffraction and Raman spectroscopy showed that the upper layer was almost fully relaxed. Second ion mass spectroscopy showed that the Ge compositions were step-graded. Transmission electron microscopy showed that the misfit dislocations were restrained to the graded SiGe layers. Tests of the electrical properties of tensile-strained Si on relaxed SiGe buffer layers showed that their transconductances were higher than that of Si devices. These results verify the high quality of the relaxed SiGe buffer layer. The calculated critical layer thicknesses of the graded Si1-xGex layer on Si substrate and a Si layer on the relaxed SiGe buffer layer agree well with experimental results.