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1.
将由联苯阴离子和中性萘之间通过刚性环己烷所连接的经典的电子转移体系作一构象修正,得到一个新的π-σ-π型分子.UHF/6 -31G^**研究表明,新体系具有较高的能垒和很小的电子转移藕合,而且其藕合几乎完全通过环己烷桥上的化学键实现.外电场效应的研究进一步发现,该体系的电荷可稳定地定域在联苯片段或萘片段上,仅当出现外部刺激(如电、光等),其电荷定域态才会迅速转变.因此,认为该体系可以作为双稳态分子器件材料的原型分子. 相似文献
2.
3.
本文分析及研究了作者对绝缘栅PMOS场效应结构所进行的SUPREM—SEDAN联机模拟.重点在衬底电阻率(掺杂浓度)与MOS结构阈值电压之间的定量关系上得到了与实验完全一致的结果.同时,定量地描述了栅氧层中电离电荷的分布及其行为.揭示了上述效应的机理. 相似文献
5.
指出半导体器件是敏感器件,其表面处理工艺非常重要;结合工艺非常重要,结合工艺实践中遇到的问题,依据理论,分析了表面处理工艺对3AK32型高可靠晶体管主要参数的影响.总结了一些经过大量实验而取得的一些经验和做法. 相似文献
6.
本文将离子敏感场效应晶体管(ISFET)与药物敏感膜相结合,研制成一种药物敏感场效应晶体管传感器(DrugFET)。用四苯硼钠为电活性物质,邻苯二甲酸二辛酯为增塑剂,制成pvc膜,对烟碱的线性范围为1.0×10-2~2.0×10-5mol/L,斜率为57.5mv/pc,适宜pH范围为5.5~8.0,检出限为1.0×10-6mol/L。用该传感器分析烟草中烟碱的含量,结果和分光光度法相一致。 相似文献
7.
在ALGaAs/GaAs HBT E-M模型直流参数的研究基础上,对HBT的基区电流进行了研究,特别是针对BE结空间电荷区的复合电流和基区表面复合电流,因为在HBT的小偏置情况下,HBT的BE结空间电荷区的复合电流和基区表面复合电流在整个基区电流中占有主导地位。当BE结间外加电压为0.5-1.2V时,ALGaAs HBT的基区电流的计算机模拟值和测试值比较接近,这一研究结果有助于进一步了解HBT的直流特性和1/?噪声特性。 相似文献
8.
目前,美国科学家正在对一种新型晶体管进行微调。这种晶体管的计算速度大约是现有技术的10倍。美国国立桑迪亚实验所的科学家们正在研制的这种晶体管,既可用于计算机和蜂窝电话,又可用于探测微量有毒物质的卫星和传感器。特粒华大学的保罗·伯杰在对联邦科研小组的工作进行评审以后 相似文献
9.
采用一维有限差分方法,对生长在Si(001)衬底上的Si1-xGex应变基区异质结双极晶体管(HBT)的直流特性进行了数值分析,给出了高斯掺杂情形下,基区中不同Ge分布的Si1-xGexHBT的共射极电流放大系数图、Gum-mel图和平衡能带图;与Si双极同质结晶体管(BJT)的直流特性作了对比,结果表明基区中Ge的引入有效地改善了晶体管的直流性能;其次对基区中Ge分布与p型杂质在基区-集电区交界处的不一致进行了模拟,证实了基区杂质向集电区扩散产生的寄生势垒使集电极电流密度下降这一实验结果. 相似文献
10.