嵌埋于极化BaTiO3薄膜内的Ag纳米微粒对基体中二次谐波产生的增强作用

近年来,铁电薄膜的光学性质引起了许多研究者的注意.除较为常用的电光效应外,人们还发现了极化后的BaTiO_3薄膜在激光辐射下产生很强的二次谐波,表明这类材料在非线性光学领域有很好的应用前景.最近,我们利用sol-gel过程制备具有嵌埋结构的铁电薄膜——金属纳米微粒体系,发现这类新型材料具有很特殊的光吸收性质.本文对这类材料的二次非线性光学性质进行了研究,发现金属纳米微粒对铁电薄膜中二次谐波的产生有明显的增强作用.实验所用的样品为淀积在石英玻璃基片上的、嵌埋Ag纳米微粒的BaTiO_3薄膜,用sol-gel法制备,具体过程见文献[2].石英基片的厚度为lmm,面积约为1.5cm~2,利用局部腐蚀法和台阶测厚仪测得薄膜厚度在1.6～2.0μm之间.样品的极化过程在两块极     

纳米粉Ba1-xSrxTiO3的合成

根据液相反应胶粒析出机理及实验原理，制备了Ba1-xSrxTiO3的前驱体(Ti(OH)4、SrCO3,BaCO3),然后经过焙烧，在较低温度(450℃)时是碳酸钡锶和二氧化钛分子状态的混合纳米晶，继续焙烧(900℃)成为发育完整的Ba1-xSrxTiO3纳米粉体，经TEM和XRD表征，平均粒径为100m，粒径分布较窄，分散性良好，XRD表明此纳米粉体为钛酸钡锶Ba1-xSrxTiO3。     

BaZr0.25Ti0.75O3-BaMg6Ti6O19复合陶瓷调谐率仿真

根据有限元分析方法计算了锆钛酸钡BaZr0.25Ti0.75O3-BaMg6Ti6O19复合陶瓷的调谐率，总体而言，调谐率随BaMg6Ti6O19含量的增加而降低.BaMg6Ti6O19体积含量是36%时，复合陶瓷的调谐率最高.不同外加电场强度下，调谐率有异常增加现象.     

锶锆共掺杂对钛酸钡陶瓷结构和介电性质的影响

采用固相反应法制备了(Ba0.85 Sr0.15)(Ti1-xZrx)O3(x=0.10,0.15,0.20,0.25)陶瓷.通过X射线粉末衍射、介电温谱测试和电子顺磁共振技术对其进行了结构表征、介电性能评价和杂质定性检测.结果表明:(Ba0.85 Sr0.15)(Ti1-xZrx)O3陶瓷显示平均立方钙钛矿结构,随着...     

钛酸钡/互穿聚合物网络复合材料的研究

为进一步提高IPN材料的阻尼性能,将PU/VER IPN与钛酸钡(BT)压电陶瓷复合制备BT/IPN复合阻尼材料,并进行极化处理.研究了压电复合阻尼材料的阻尼性能、压电常数、相对介电常数和微观结构.结果表明:经1 000℃煅烧后的四方相BT粒子在IPN基质中分散较为均匀,孔洞和缺陷较少.极化使得BT/IPN复合材料的阻...     

化学沉淀法制备纳米钛酸钡粉体

以TiCl4、BaCl2和NaOH为原料,采用化学沉淀法,通过控制结晶过程条件,制备纳米钛酸钡粉体,并利用红外光谱、X射线衍射、表面物理吸附和透射电镜对样品进行分析.结果表明,温度是影响颗粒大小的主要因素,制备过程中加入表面活性剂可提高粉体的分散性;采用800℃的煅烧温度可提高粉体的结晶度.在反应温度为80℃、反应时间...     

碳酸盐法钛酸钡的研制

介绍以四氯化奂，氯化钡为原料，碳酸盐为沉淀剂，反应温度６０－８０Ｃ，反应时间３０－９０ｍｉｎ下制备碳酸钡和胶体二氧化钛相互包裹的沉淀前驱体，再经洗涤，干燥，于７５０－９５０℃下煅烧２小时得到钛酸钠粉体，讨论了工艺参数对产物纯度的影响，产物经ＸＲＤ，ＴＥＭ，能谱分析及化学分析证明为较纯的钛酸钡粉体．     

Al／BaTiO3／Si结构的湿敏特性

用氩离子束镀膜法制备ＢａＴｉＯ_３／Ｓｉ系统，并在４００－９００℃的温度下用氮气保护进行退火，然后制成Ａｌ／ＢａＴｉＯ３／Ｓｉ的ＭＩＳ结构。用俄歇电子能谱分析ＢａＴｉＯ３膜的化学组分．研究电容－相对湿度和电流－相对湿度特性，以及固定电荷密度对湿敏特性的影响．结果表明，当相对湿度从１２％变化到９２％时，电容量增加４８％到５０％；在３Ｖ偏压下，电流量增加４２０％到４４０％；随着固定电荷密度的减小，吸附响应时间增加，电流变化率减小．     

复合掺杂BaTiO3基介电陶瓷的介电性能研究

本文采用溶胶．凝胶法，制备了单独掺杂稀土元素饵及复合掺杂锶、铒的钛酸钡基介电陶瓷粉体．XBD物相分析表明：主晶相为四方相．同时本文也研究了组成对介电性能的影响，单独掺杂饵时，饵最佳掺杂比例为5‰，介电常数达到最大值4130；复合掺杂锶、饵时，锶为10％，饵最佳掺杂比例为6‰，介电常数达到最大值5419．结果表明：复合掺杂较单独掺杂效果好，更能改善钛酸钡陶瓷的介电性能．     

溶胶凝胶法制备(Ba,Pb)TiO3纳米晶粒

采用溶胶－凝胶工艺制备了不同晶粒大小的掺铅钛酸钡纳米晶,用ＸＲＤ,ＴＥＭ和Ｒａｍａｎ研究了ＢＰＴ样品的晶粒大小,结构及其相变特性,结果表明,ＢＰＴ纳米晶最低晶化温度为５５０℃,衙门广泛６５０℃,高于６５０℃热处理的纳米晶ＢＰＴ在常温下为四方相,随着晶粒尺寸的减小,由四方相向立方相过度。