纳米 SnO2 基 CO 敏感元件的研究

采用沉淀法制备了SnO2纳米粉体，并制作了烧结型的CO敏感元件，考察了掺杂元素的种类和含量及烧结温度对敏感元件灵敏度的影响，为获得性能良好的CO气敏元件，需要最佳的制备方法和最好的掺杂剂。     

TiO2发光性和磁性研究进展

综述了国内外纳米TiO2的研究、应用及其发展现状；重点介绍了稀土离子掺杂TiO2纳米材料的研究现状，总结了稀土离子掺杂的种类及发光机理。对Fe、Co、Ni、V、Mn、Cr掺杂TiO2磁性体系的发展现状进行了细致地分析，探讨了其存在的不足和未来的发展方向。     

热镀铝锌层镧掺杂硅烷钝化膜的腐蚀性能

采用掺杂硝酸镧的硅烷(BTESPT)钝化液处理热镀铝锌层:室温(25℃)浸渍,120℃固化30min,在铝锌层上形成镧盐掺杂硅烷钝化膜.研究了热镀铝锌基体钝化后的结构、表面形貌与腐蚀性能.傅立叶变换红外光谱(FTIR)表明,掺杂硝酸镧的硅烷溶液与铝锌基体表面发生了化学键合作用,形成SiOAl与SiOZn网络结构的钝化膜,钝化膜中主要的有机基团种类与无掺杂剂硅烷膜无显著差别.SEM/EDS研究结果表明:掺杂硝酸镧的硅烷膜均匀、致密、无明显微裂纹,硅烷膜中主要含有C,O,Si,S,Al,Zn,La等元素.耐蚀性研究表明,掺杂硝酸镧的硅烷钝化能明显降低腐蚀电位和腐蚀电流密度,增大极化电阻,使其耐蚀性...     

掺杂稀土元素对Ni(OH)2晶格的影响

研究了稀土元素La掺杂对Ni(OH)2晶格的影响,发现通过掺杂,改变了Ni(OH)2晶格常数,降低了Ni^2 的局域能级,引入了大量的正缺陷,相对于未掺杂晶体,其OH^-的数量增多,增大了质子扩散的几率,因而提高了材料的电化学性能。     

非磁性/磁性掺杂剂对SnO2体系的性能调控

本文通过第一性原理计算在GGA + U 框架下系统地研究了非磁性掺杂剂(Li)和磁性掺杂剂(V)以及相应的点缺陷(VO/VSn)掺杂SnO2基稀磁半导体(DMS)的稳定性、电子结构、键合性质、磁性以及光学性质. 计算得到的形成能结果表明, V元素单掺杂体系比Li元素单掺杂体系更稳定. 其中, VO存在的掺杂体系稳定性更高, 而VSn对掺杂体系的稳定性不利. 磁性分析表明, Li掺杂体系的磁矩大于V掺杂体系的磁矩. 当有点缺陷存在时, VSn的加入显著提高了掺杂体系的磁性, 而VO对非磁性金属元素/磁性金属元素掺杂体系的磁性影响不同：当VO存在于Li掺杂体系时, Li原子周围的O原子自旋极化减少, 因此导致磁矩降低;当V掺杂体系中有VO存在, 磁性不仅来源于V原子的自旋极化, 同时来源于VO周围的O原子的自旋极化,因此磁矩增大. 结合电子结构分析可知, Li掺杂体系的磁性是由O-p和Li-p轨道之间的双交换作用产生的, V掺杂体系的磁性是由O-p和V-d轨道之间的双交换作用产生的. 键合分析发现VO的存在可以提高两种金属掺杂体系键(Li-O和V-O)的共价性. 在可见光区域内, Sn15LiO32和Sn15VO32具有较高的光学透明度. 以上这些结果为非磁性金属元素(Li)和磁性金属元素(V)及相应的点缺陷(VO/VSn)掺杂SnO2在自旋电子器件中的应用提供了新的思路.     

聚乙炔的结构与性质(1)

本文结合我们近年的研究成果,综合评述了新兴有机导电特料——聚乙炔(PA)的电子结构及其性质的主要理论模型。     

掺杂Sb的SnO2基陶瓷导电薄膜的研制

对 Sn O2 陶瓷导电薄膜的特性、导电机理、制备、应用进行了叙述 ,并且利用喷涂热解工艺制备了 Sn O2 陶瓷导电薄膜 ,探讨了掺杂剂Sb的掺杂量、喷涂溶液的浓度对 Sn O2 导电薄膜电阻值的影响     

Electrical properties of sulfur-implanted cubic boron nitride thin films

Cubic boron nitride(c-BN)thin films were deposited on Si substrates by applying ion beam assisted deposition and then doped by S ion implantation.To produce a uniform depth profile of S ions in c-BN films,the implantation was carried out for the multiple energies.A slight degradation of c-BN crystallinity resulted from ion implantation can be recovered by thermal annealing,keeping the cubic phase content as high as 92%.The resistance reduces from 1010X for the as-deposited c-BN film to 108X after an S implantation of 5 9 1014ions cm-2and annealing at 1,173 K,suggesting an electrical doping effect of S dopant.The electrical resistance of the S-doped c-BN thin film decreases with increasing temperature,indicating semiconductor characteristics.The activation energy of S dopant is estimated to be 0.28±0.01 eV from the temperature dependence of resistance.     

掺钴LiFePO4/C的电化学性能研究

通过固相烧结法制备了掺钴的LiFePO4/C正极材料. 采用充放电测试、循环伏安和交流阻抗等现代技术测试了样品的电化学性能. 结果表明,750 ℃烧结的掺钴样在2 C倍率电流下首次循环的放电容量达到115 mAh/g. 该样品50次循环的容量衰减率仅为2.61%,电化学性能稳定.