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1.
Ken Kanazawa Shoji Yoshida Hidemi Shigekawa Shinji Kuroda 《Science and Technology of Advanced Materials》2015,16(1)
The reconstructed surface structure of the II–VI semiconductor ZnTe (110), which is a promising material in the research field of semiconductor spintronics, was studied by scanning tunneling microscopy/spectroscopy (STM/STS). First, the surface states formed by reconstruction by the charge transfer of dangling bond electrons from cationic Zn to anionic Te atoms, which are similar to those of IV and III–V semiconductors, were confirmed in real space. Secondly, oscillation in tunneling current between binary states, which is considered to reflect a conformational change in the topmost Zn–Te structure between the reconstructed and bulk-like ideal structures, was directly observed by STM. Third, using the technique of charge injection, a surface atomic structure was successfully fabricated, suggesting the possibility of atomic-scale manipulation of this widely applicable surface of ZnTe. 相似文献
2.
基于四候煤矿3108回风顺槽过F3断层期间,顶板出现严重破碎、下沉现象,提出了俯斜台阶法施工工艺,并对断层破碎带顶板采取MF-2型化学材料注浆加固以及"钢筋锚索网+U29梯形棚"联合支护措施。支护效果检验结果表明,联合支护有效控制了断层破碎区顶板下沉、破碎现象,保证了巷道顶板稳定性。 相似文献
3.
本文介绍了薄膜隧道发光结的基本结构、发光机理,阐述了其I-V特性中的负阻现象。简单介绍了MIM结构负阻的几种解释,根据热像仪照片和低温测试结果分析,再结合Dearmaley导电模型,我们提出了MIM负阻的物理模型,理论与实验符合较好,最后分析了负阻现象的应用前景。 相似文献
4.
5.
文中通过求解薛定谔方程得到抛物型形量子阱的变换矩阵与透射系数。利用这一结果计算透射系数可以达到任意高的精度,最后,讨论了结构变化对抛物型量子阱的共振隧穿的影响。 相似文献
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7.
隧道受震破壞調查分析與修復管理案例 总被引:1,自引:0,他引:1
就隧道震後之災損模式進行統計與災損原因研判,並利用數值分析方法研判安全性,就結構加固等改善措施之設計考量作詳細說明;另由於隧道結構物的損壞範圍大,且修復經費受限,必須藉由定期檢测進行長期維護管理,以防範意外發生。於此,利用Vidco-GIS自動化影像地理资訊系統之e化新技術,以動態及靜態影像紀錄隧道災損狀況,同時亦整合建置前期設計、施工圖及定期維護等資料,相關成果以資料庫方式纳入日常維護管理,以有限人力有效率地進行維護管理紀錄並随時掌握現況供作決策之明確參考。 相似文献
8.
D.Z.-Y. Ting X. Cartoixà T.C. McGill D.L. Smith J.N. Schulman 《Journal of Computational Electronics》2002,1(1-2):147-151
The Rashba effect resonant tunneling diode is a candidate for achieving spin polarizing under zero magnetic field using only conventional non-magnetic III–V semiconductor heterostructures. We point out the challenges involved based on simple arguments, and offer strategies for overcoming these difficulties. We present modeling results that demonstrate the benefits of the InAs/GaSb/AlSb-based asymmetric resonant interband tunneling diode (a-RITD) for spin filtering applications. 相似文献
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10.