Acquisition and pattern recognition of spectrum information of welding metal transfer

With the creation of a pattern recognition system for metal transfer mode, this article has collected five kinds of spectrum signals in gas metal arc welding (MIG, MAG and CO₂) and take them as training samples. These samples have been pretreated by computer, several key characteristic parameters of the spectrum signal have been creatively extracted, and a corresponding recognition function and a minimum-distance-classifier have been constructed. The results show that the pattern recognition of several kinds of metal transfer modes for the metal gas arc welding can be done successfully, and relative important parameters in welding process, such as the frequency of droplet transfer and the approximate diameter of each droplet, can also be obtained.     

轻便型γ能谱测井仪几个关键技术问题的探讨

为研制性能好，功能强，微机化学程度高的轻便型γ能谱测井仪，针对非油气测井工作的井口径小（〈φ６０ｍｍ）井身浅（〈１０００ｍ）等特点，探讨了γ能谱测井仪的轻便化，测量精度，信号传输技术，稳谱技术及微机化等关键技术问题。     

δ掺杂样品中空穴态的新行为

用有效质量理论研究了δ掺杂势中电子和空穴的行为。发现能量接近于δ势垒峰的空穴穿越势垒时能产生一系列谐振态。这些状态中的空穴波函数汇聚在势垒峰周围而同量子限制在势阱中的电子波函数交叠,产生光跃迁。用MBE生长的δ掺杂样品进行光调制光谱测量,发现明显的带间跃迁峰。测得的光谱峰同理论计算的能级相吻合,证实了δ势垒中空穴的新行为。     

无接触法测量多晶硅材料的少子扩散长度

用微波光电导谱仪无接触、非破坏性地测量了多晶硅的微波光电导谱,推导了由光电导谱计算多晶硅样品的少子扩散长度和表面复合速度的计算方法,并由此算得了样品的少子扩散长度和表面复合速度。测试区域是一个直径为3mm的圆斑。这是一种简便而又准确的测试方法。这样的方法还适用于GaAs薄片材料少子扩散长度的测量和计算。     

一种连续波多站发射机及频谱分析

介绍了一种连续波多站发射机的新方案，从理论上对该机的发射频谱进行了分析，并与实际结果进行比较。理论和实际都证明该方案具有很好的交调抑制、谐波抑制和杂波抑制、相噪低等诸多优点。     

基于晶体双折射的光学FIR滤波器设计

提出建立在晶体双折射基础上，由晶体延迟片堆组成的光学FIR（Finite Impulse Response)滤波器设计方法，用以实现任意形状光谱输出。从FIR信号理论出发，建立了光学FIR滤波器数学模型，并分析了它与FIR滤波器的映射关系。在给出“输出反向传递法”来完成其光学实现同时，还以G／M滤波器设计实例证明其优良的光谱特性及角度特性。     

ST-102C式NaI(Tl)晶体中KX射线逃逸率的计算

本文对ST-102C式NaI(Tl)晶体中碘原子K层X射线的五种主要成分K_(α1)、K_(α2)、K_(β1)、K_(β2)和 K_(β3)的逃逸率分别进行了计算,然后根据五种 X 射线的相对强度进一步计算了加权平均逃逸率。计算中所选用的初始入射 X 射线能量在33.5—1000keV 之间。     

UO_2(HCOO)_2·H_2O在290K-10K的红外光谱及~(235)U-~(238)U同位素位移的研究

本文通过测定甲酸铀酰[UO_2(HCOO)_2·H_2O]在290K-10K的红外光谱,确定了该化合物铀酰基团(O-U-O)v_(as)振动峰位,研究了温度对峰宽、峰位的影响,并采用差减及峰内标法估算了甲酸铀酰在290K-10K的同位素位移值。测得290K,77K及10K时~(238)U的v_(as)值分别为931.90cm~(-1),930.82cm~(-1)和930.74cm~(-1),~(235)U-~(238)U同位素位移△v分别为0.63cm~(-1),0.67±0.18cm~(-1)和0.71±0.21cm~(-1),位移值与理论计算值接近。     

多孔硅发光的物理机制——纳米量子限制效应及表面态在发光中的作用

采用阳极氧化腐蚀的方法制备了多孔硅（ＰＳ），这种ＰＳ的微结构为纳米量级的，并具有光致发光特性，这无疑将对全硅光电子学的发展具有很大意义。根据大量实验与理论分析，提出了这种ＰＳ发光的物理机制：纳米量子限制效应和表面态及其物质在发光中的作用，从量子力学的薛定锷方程出发，用沟道势阱的近似模型，推导得到进入量子线的电子和空穴的能量势垒，ＰＳ的有效带宽Ｅ＝Ｅ＿０＋ΔＥ，对于Ｓｉ（Ｅ＿０＝１．１２ｅｖ）。完美地解释了目前在ＰＳ研究中的ＰＬ谱的篮移现象。     

瞬态光的光电摄谱测量

“光电摄谱法”是一种辐射光谱计量参数的测量方法,此法解决了单次脉冲闪光灯辐射光谱相对能量分布的精确测量问题。本文介绍了这种方法的测量原理、方法和特点,同时阐述了对接收器件、光路系统和时控电器系统的要求,并以自行研制的闪光光谱测定仪为例,对其计量参数波长和相对能量的标定与校正给予了必要的讨论,最后以实测结果证实了该方法的可靠性。