真空微电子荧光平板显示器件的实验研究

真空微电子荧光平板显示器件的实验研究刘杰明，李志能，陈秀峰（浙江大学信息与电子工程学系）关键词：真空微电子，反应离子刻蚀一、引言近十年来，随着真空微电子学的崛起，利用微细加工技术，使真空元器件集成化和高性能化已成为可能，一种新型场致发射阵列真空荧光平...     

硅微电子技术的极限研究与潜力开拓

本文在讨论硅微电子技术发展限制基础上，提出了一个在今后３０年内应该引起高度重视的“复合功能电子学”的概念，内容及其实例。     

飞行时间二次离子质谱--强有力的表面、界面和薄膜分析手段

二次离子质谱（Secondary ion mass spectrometry，简称SIMS）是一种对表面灵敏的质谱技术，建立在表面各种类型带正、负电荷原子或分子发射的基础上。用飞行时间（Time of flight，简称TOF）仪器对这些二次离子进行质量分析，能确保并行质量登录、高质量范围、高流通率下的高分辨和精确质量测定这些优异性能。配合细聚焦扫描一次离子束，可在优于1nm的高深度分辨和优于50nm的横向分辨本领下，实现对表面优于单层ppm(百万分之一）量级的极高检测灵敏度。当今TOF－SIMS已发展为一种成熟且完善的表面分析技术。极高的灵敏度，再加上即使对大分子及不易挥发性分子都独具的敏感性，使它成为很多高技术领域不可缺少的分析手段，这些领域包括微电子学、化学和材料科学以至纳米技术和生命科学等。本文简述了TOF－SIMS的原理、仪器及其多方面的应用和展望。     

真空微电子荧光平板显示器件的实验研究

描述了真空微电子荧光平板显示器件的工作原理，提出了采用反应离子刻蚀法制作大规模场致发射阵列的工艺，在动态真空系统中测定了荧光平板显示器件的场发射特性，并获得了结果。     

等离子蚀刻气的命名规则

如果碳氢化合物的氢原子部分或全部被卤素(氟、氯、溴、碘)取代，就称之为卤代烃。现在，这类碳氢化合物在半导体元件等离子蚀刻工艺中得到了广泛的应用。但是，在等离子工艺产生之前，化学工业已给这类化合物规定了标识号码，如氟里昂-14中的“14”。这类标识号码是其化学名称的简写符号，但在微电子学领域里，了解这一点的人寥寥无几。     

真空微电子学的新发展

本文描述了正在兴起的一门新学科——真空微电子学——的发展概况,它的工作原理,微型真空三极管的构造及集成加工技术。详细给出了薄膜场致发射阴极的制造过程,讨论了这类器件的应用领域及需进一步研究的问题。     

新年寄语

伴随着新年钟声的敲响，2006年第1期《微电子学与计算机》如约送到了您的手上；在沁人心脾的油墨香中，希望您能感受到我们编辑部全体成员奉上的诚挚祝福。     

真空微电子三极管几何参数的设计考虑

真空微电子三极管是近年来兴起与发展的真空微电子学中的一类重要器件。本文从真空微三极管的工作特性出发,分析了这类器件中所需考虑的几何参数和工作特性的关系,并给出了一些理论和实验公式,为今后的设计提供一些参考。     

CMOS图像传感器中分段电容DAC非理想因素研究

CMOS图像传感器信号处理中通常采用分段电容DAC产生斜坡参考电压。研究了分段电容DAC精确的电容失配及寄生与其转换精度的关系式。基于对分段电容DAC工作原理的研究,导出了电容失配及寄生模型;针对其分数桥接电容失配、各二进制电容间的失配及寄生电容问题进行了理论分析;对分段电容DAC进行非理想因素仿真,设计了一个采用分段电容DAC的10位单斜ADC并对其进行测试,仿真和测试结果均验证了理论分析的正确性。上述理论分析结果可作为分段电容DAC的设计指导。